Захарук Зінаїда Іванівна
Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Номер патенту: 113185
Опубліковано: 26.12.2016
Автори: Мисевич Ігор Захарович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Дремлюженко Сергій Григорович, Колісник Михайло Георгійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Раренко Іларій Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Фочук Петро Михайлович
МПК: C30B 13/10, C30B 1/00, C30B 13/02 ...
Мітки: твердих, cdxzn1-xte, cdxmn1-xte, монокристалів, розчинів, спосіб, вирощування
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...
Процес отримання монокристалів in2hg3te6
Номер патенту: 105367
Опубліковано: 10.03.2016
Автори: Галочкин Олександр Вікторович, Колісник Михайло Георгієвич, Захарук Зінаїда Іванівна, Дремлюженко Сергій Григорович, Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: C30B 13/12, C30B 13/10, C30B 1/00 ...
Мітки: процес, монокристалів, in2hg3te6, отримання
Формула / Реферат:
Процес отримання монокристалів In2Hg3Te6, що складається з етапів синтезу вихідних компонентів In, Hg, Те та зонної перекристалізації синтезованого злитку, який відрізняється тим, що на етапі синтезу вихідних компонентів спочатку синтезують злитки Іn2Те3 при температурі Т1=(690±2)°С та HgTe при температурі Т2=(740±2)°С та наступне їх сплавлення в стехіометричному складі у злиток In2Hg3Te6 при температурі Т3=(776±2)°С, при цьому час синтезу...
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів іі-в підгрупи періодичної системи
Номер патенту: 99181
Опубліковано: 25.05.2015
Автори: Копач Олег Вадимович, Фочук Петро Михайлович, Захарук Зінаїда Іванівна, Колісник Михайло Григорович, Раренко Іларій Михайлович
МПК: C30B 11/00
Мітки: системі, телуридів, іі-v, фазі, усунення, підгрупи, другої, періодичної, спосіб, включень, злитків, основі
Формула / Реферат:
Спосіб усунення включень другої фази зі злитків на основі телуридів ІІ-В підгрупи Періодичної системи, що включає відпал вирощеного злитка в вакуумованій запаяній кварцовій ампулі, який відрізняється тим, що термообробку проводять для усього злитка шляхом повільного проходження вузької гарячої зони вздовж нього при температурі зони, вищій за температуру топлення телуру, із швидкістю, меншою ніж 10 мм/год., після чого піч програмовано...