Патенти з міткою «кремнієм»

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Бойко Сергій Іванович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/76

Мітки: субмікронних, схем, локальної, пористим, елементів, кремнієм, спосіб, ізоляції, інтегральних, прооксидованим, великих, структурах

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...