H01L 21/76 — отримання ізоляційних областей між компонентами
Спосіб локальної ізоляції елементів пористим прооксидованим кремнієм в субмікронних структурах великих інтегральних схем
Номер патенту: 113891
Опубліковано: 27.03.2017
Автори: Варварук Василь Миколайович, Бойко Сергій Іванович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович
МПК: H01L 21/76
Мітки: схем, пористим, великих, інтегральних, спосіб, локальної, субмікронних, структурах, кремнієм, елементів, прооксидованим, ізоляції
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...