Патенти з міткою «прооксидованим»
Спосіб локальної ізоляції елементів пористим прооксидованим кремнієм в субмікронних структурах великих інтегральних схем
Номер патенту: 113891
Опубліковано: 27.03.2017
Автори: Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Бойко Сергій Іванович
МПК: H01L 21/76
Мітки: ізоляції, кремнієм, пористим, інтегральних, великих, структурах, локальної, схем, спосіб, елементів, субмікронних, прооксидованим
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...