Варварук Василь Миколайович

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Котик Михайло Васильович, Новосядлий Святослав Володимирович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/3065, H01L 21/31 ...

Мітки: схем, міжшарової, плазмового, формування, великих, ізоляції, інтегральних, спосіб, структур

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Варварук Василь Миколайович, Бойко Сергій Іванович, Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/76

Мітки: схем, елементів, ізоляції, пористим, кремнієм, локальної, інтегральних, спосіб, структурах, прооксидованим, субмікронних, великих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 110188

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/20, H01L 29/862

Мітки: відновлення, малим, точкових, часом, переключення, формування, спосіб, нвч-діодів

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів, що полягає у виготовленні кристала, тримачів кристала, контактної пружини і корпусних деталей, який відрізняється тим, що кристал виготовляють за гетероепітаксійною плазмовою технологією формування ізотипних n-n+переходів із германію чи арсеніду галію на монокремнієвих підкладках n+типу, а контактну пружину формують із вольфрамово-молібденового дроту і, після приварювання до нікелевого тримача...

Номер патенту: 87386

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович

МПК: B81C 1/00

Мітки: спосіб, полікремнію, травлення, плазмохімічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівок фоторезисту, його сушку і експонування, проявлення експонованих областей, задублення плівки резисту плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, в склад якої входить: травильний газ SF6, галогеновмістимий газ, який...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: великих, субмікронних, схем, арсенідгалієвих, спосіб, нвч, інтегральних, гетероепітаксійних, структур, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...