Спосіб локальної ізоляції елементів пористим прооксидованим кремнієм в субмікронних структурах великих інтегральних схем
Номер патенту: 113891
Опубліковано: 27.03.2017
Автори: Бойко Сергій Іванович, Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович
Формула / Реферат
1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який відрізняється тим, що після формування колодязів проводять електрохімічне анодування в потенціостатичному режимі при густині струму 100-120 мА/см2 в електроліті складу (об. частин):
сірчана кислота (95 %)
54,9-55
плавікова кислота (48 %)
37,6-40
соляна кислота (95 %)
2,8-3
надоцтова кислота -
решта,
здійснюють оксидування кремнію при температурі 1000-1200 °C в атмосфері сухого кисню протягом 40-80 хв., витравлюють окисел з дна колодязя плазмохімічним анізотропним травленням, проводять локальну епітаксію областей n типу в сформованих колодязях з питомим опором 1-4 Ом·см, після чого у n- і р-областях формують комплементарні транзистори типу метал-діелектрик-напівпровідник і комплементарні біполярні транзистори субмікронних структур ВІС.
2. Спосіб за п. 1 який відрізняється тим, що до епітаксії n-кремнію проводять багатозарядну імплантація миш'яку As++ з енергією 80-100 КеВ і дозі 50-150 мКл/см2, а як високотемпературну епітаксію використовують низькотемпературну надвисокочастотну плазмову епітаксію в реакторах електронно-циклотронного резонансу.
Текст
Реферат: Cпосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах ВІС належить до області мікроелектроніки і може бути використаний для ізоляції елементів в субмікронних комплементарних структурах типу метал-окисел-напівпровідник (КМОН) великих інтегральних схем (ВІС). Спосіб полягає у хімічній обробці Si-підкладки n+ + типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р р-типу з р -шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, 2 електрохімічному анодуванні в потенціостатичному режимі при густині струму 100-120 мА/см в електроліті, оксидуванні кремнію при температурі 1000-1200 °C в атмосфері сухого кисню протягом 40-80 хв, витравленні окисла з дна колодязя плазмохімічним анізотропним травленням, проводять локальну епітаксію областей n-типу в сформованих колодязях з UA 113891 C2 (12) UA 113891 C2 питомим опором 1-4 Ом·см, після чого у n- і р-областях формують комплементарні транзистори типу метал-діелектрик-напівпровідник і комплементарні біполярні транзистори субмікронних структур ВІС. Даний винахід за рахунок підвищення щільності компоновки елементів та зниження дефектності дозволяє підвищити процент виходу придатних на 20-25 %, а значить знизити вартість (собівартість) кристалів майже в 2 рази. 0 UA 113891 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 Даний винахід належить до області мікроелектроніки і може бути використаний для ізоляції елементів в субмікронних комплементарних структурах типу метал-окисел-напівпровідник (КМОН) великих інтегральних схем (ВІС). Сучасна технологія мікроелектроніки характеризується рядом технологічних параметрів, які називають проектними нормами конструкторсько-технологічних обмежень. Зокрема, для формування К-МОН ВІС з проектною нормою 0,5 мкм і нижче необхідна глибина діелектричної ізоляції для елементів повинна складати величину
ДивитисяДодаткова інформація
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/76
Мітки: схем, прооксидованим, кремнієм, великих, інтегральних, субмікронних, спосіб, локальної, пористим, структурах, елементів, ізоляції
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/8-113891-sposib-lokalno-izolyaci-elementiv-poristim-prooksidovanim-kremniehm-v-submikronnikh-strukturakh-velikikh-integralnikh-skhem.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб локальної ізоляції елементів пористим прооксидованим кремнієм в субмікронних структурах великих інтегральних схем</a>
Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних к-мон-структурах великих інтегральних схем
Номер патенту: 72058
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович
МПК: H01L 21/00
Мітки: великих, спосіб, контактів, формування, низькоомних, інтегральних, к-мон-структурах, схем, субмікронних
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування низькоомних контактів в субмікронних К-МОН-структурах великих інтегральних схем, який включає операції хімічної обробки кремнієвих підкладок, оксидування, формування імплантацією самосуміщених стік-витокових областей, підзатворного діелектрика, міжшарової ізоляції, проекційної літографії та анізотропного плазмохімічного травлення функціональних шарів, який відрізняється тим, що після розкриття контактних вікон і їх...
Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем (віс)
Номер патенту: 64898
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Сорохтей Тарас Романович, Атаманюк Роман Богданович
МПК: H01L 21/00
Мітки: субмікронних, великих, вісь, планаризації, спосіб, інтегральних, металевої, структур, схем, розводки
Формула / Реферат:
1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...
Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних нвч – великих інтегральних схем
Номер патенту: 77223
Опубліковано: 11.02.2013
Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Мельник Любомир Васильович
МПК: H01L 21/00
Мітки: структур, схем, інтегральних, арсенідгалієвих, спосіб, великих, гетероепітаксійних, нвч, субмікронних, формування
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...
Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації субмікронних структур великих інтегральних схем
Номер патенту: 68204
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович
МПК: H01L 21/00
Мітки: багатошарової, структур, спосіб, субмікронних, теплостійкої, інтегральних, формування, металізації, великих, схем
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування теплостійкої багатошарової металізації верхнього рівня розводки структур великих інтегральних схем, який включає в себе формування структур з контактними профільованими вікнами в міжшаровій металізації за допомогою фотолітографічного процесу і плазмохімічного травлення, якісної хімічної обробки структур в перекисно-аміачній суміші, магнетронного розпилення мішені силіциду чи поліциду, який відрізняється тим, що...
Спосіб виготовлення великих інтегральних схем
Номер патенту: 11379
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Новосядлий Степан Петрович, Насипайко Олександр Васильович, Бірковий Юрій Леонідович
МПК: H01L 21/18
Мітки: великих, інтегральних, виготовлення, спосіб, схем
Формула / Реферат:
1. Способ изготовления больших интегральных схем, включающий формирование кремниевой структуры с активными и пассивными элементами, формирование на ее нерабочей стороне соединительного слоя, монтаж полученной структуры с соединительным слоем в корпус или на ленточный носитель с помощью клея, формирование контактов и герметизирующего слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения качества схем за счет снижения уровня механических...
Попередній патент: Спосіб та пристрій дистанційного контролю об’єму шихти в шихтовому відсіку
Наступний патент: Проліки амінохіназолінового інгібітору кінази
Випадковий патент: Hапівсолодка hастойка "стопка персик"