Мельник Любомир Васильович

Номер патенту: 113891

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Варварук Василь Миколайович, Бойко Сергій Іванович, Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович

МПК: H01L 21/76

Мітки: великих, прооксидованим, кремнієм, інтегральних, елементів, локальної, спосіб, структурах, схем, субмікронних, ізоляції, пористим

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування локальної ізоляції пористим прооксидованим кремнієм у субмікронних структурах великих інтегральних схем (ВІС), який полягає в хімічній обробці Si-підкладки n-типу, формуванні на ній епітаксійної структури n-р+-р типу з р+-шаром, формуванні маски високочастотним магнетронним розпиленням Si-мішені в азотно-аргонній плазмі нітриду кремнію, літографії, формуванні анізотропним плазмохімічним травленням колодязів, який...

Номер патенту: 110188

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/20, H01L 29/862

Мітки: формування, переключення, точкових, спосіб, нвч-діодів, часом, малим, відновлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування точкових НВЧ-діодів, що полягає у виготовленні кристала, тримачів кристала, контактної пружини і корпусних деталей, який відрізняється тим, що кристал виготовляють за гетероепітаксійною плазмовою технологією формування ізотипних n-n+переходів із германію чи арсеніду галію на монокремнієвих підкладках n+типу, а контактну пружину формують із вольфрамово-молібденового дроту і, після приварювання до нікелевого тримача...

Номер патенту: 108820

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Бережанський Володимир Михайлович, Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Новосядлий Святослав Володимирович

МПК: H01L 21/22

Мітки: іонно-плазмового, дифузійного, планарного, джерела, спосіб, бору, нітриду, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб іонно-плазмового формування планарного дифузійного джерела із нітриду бору, який включає попередню хімічну обробку кремнієвих пластин великого діаметра, тобто більше 150 мм, у перекисно-аміачній суміші і промивку в деіонізованій воді, який відрізняється тим, що формування джерела здійснюють із нітридних плівок бору кубічної фази низькотемпературним процесом осадження із направлених іонно-плазмових потоків частинок, причому...

Номер патенту: 87386

Опубліковано: 10.02.2014

Автори: Мельник Любомир Васильович, Новосядлий Степан Петрович, Варварук Василь Миколайович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: B81C 1/00

Мітки: полікремнію, травлення, спосіб, плазмохімічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівок фоторезисту, його сушку і експонування, проявлення експонованих областей, задублення плівки резисту плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, в склад якої входить: травильний газ SF6, галогеновмістимий газ, який...

Номер патенту: 77223

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович

МПК: H01L 21/00

Мітки: великих, субмікронних, арсенідгалієвих, нвч, структур, формування, спосіб, схем, інтегральних, гетероепітаксійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...