Спосіб зменшення густини поверхневих станів межі розділу кремній-двоокис кремнію
Номер патенту: 7563
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Литовченко Володимир Григорович, Литвинов Ренальд Олімпійович, Лісовський Ігор Петрович
Завантажити PDF файл.
Додаткова інформація
Назва патенту англійськоюDensity reduction process for surface states of silicon-silicone dioxide interface
Автори англійськоюLisovskyi Ihor Petrovych, Lytvynov Renald Olimpiiovych, Lytovchenko Volodymyr Hryhorovych
Назва патенту російськоюСпособ уменьшения плоьности поверхностных состояний границы раздела кремний-двуокись кремния
Автори російськоюЛисовский Игорь Петрович, Литвинов Ренальд Олимпиевич, Литовченко Владимир Григорьевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 21/265
Мітки: кремній-двоокис, кремнію, розділу, зменшення, спосіб, густини, станів, межі, поверхневих
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/1-7563-sposib-zmenshennya-gustini-poverkhnevikh-staniv-mezhi-rozdilu-kremnijj-dvookis-kremniyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб зменшення густини поверхневих станів межі розділу кремній-двоокис кремнію</a>
Попередній патент: Йодистий трис-(триметиламонійетил)фосфат, який має ростінгібіруючу активність
Наступний патент: Барабан парогенератора
Випадковий патент: Пристрій для фіксації тварин