Спосіб зменшення густини поверхневих станів межі розділу кремній-двоокис кремнію

Завантажити PDF файл.

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Density reduction process for surface states of silicon-silicone dioxide interface

Автори англійською

Lisovskyi Ihor Petrovych, Lytvynov Renald Olimpiiovych, Lytovchenko Volodymyr Hryhorovych

Назва патенту російською

Способ уменьшения плоьности поверхностных состояний границы раздела кремний-двуокись кремния

Автори російською

Лисовский Игорь Петрович, Литвинов Ренальд Олимпиевич, Литовченко Владимир Григорьевич

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/265

Мітки: кремній-двоокис, кремнію, розділу, зменшення, спосіб, густини, станів, межі, поверхневих

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/1-7563-sposib-zmenshennya-gustini-poverkhnevikh-staniv-mezhi-rozdilu-kremnijj-dvookis-kremniyu.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб зменшення густини поверхневих станів межі розділу кремній-двоокис кремнію</a>

Подібні патенти