Тіман Беніамін Липович

Hапівпровідhиковий елемеhт та спосіб його одержаhhя

Завантаження...

Номер патенту: 16727

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Тіман Беніамін Липович

МПК: H01L 21/324

Мітки: спосіб, елемеhт, одержаhhя, hапівпровідhиковий

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый элемент, содержащий подложку с электродом и нанесенные на ее поверхность слои сульфида кадмия CdS и теллурида кадмия CdTe и второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности и расширения спектрального диапазона фоточувствительности, он содержит слой сульфида меди Сu2S, нанесенный на слой CdTe, второй электрод, нанесенный на поверхность Сu2S, при этом толщины слоев CdTe и Cu2S относятся как...

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Тіман Беніамін Липович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Загвоздкін Борис Васильович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 29/32, C30B 15/00

Мітки: монокристалів, германату, вирощування, спосіб, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Спосіб одержання п’езонапівпровідникового матеріалу на основі сполук а

Завантаження...

Номер патенту: 16670

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Файнер Михайло Шайович, Тіман Беніамін Липович, Загоруйко Юрій Анатолійович

МПК: B01D 7/02, H01L 41/00

Мітки: основі, одержання, п'езонапівпровідникового, матеріалу, спосіб, сполук

Формула / Реферат:

Способ получения пьезополупроводникового материала на Основе соединений АIIВIV, включаю­щий выращивание кристаллических образцов, их отжиг в парах элемента VI группы, входящего в состав материала, нанесение на поверхность об­разца слоя акцепторной примеси элемента I груп­пы и повторный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения темнового удельного сопро­тивления и расширения диапазона рабочей тем­пературы, повторный отжиг ведут при...

Спосіб вимірювання густини критичного струму високотемпературної надпровідної кераміки

Завантаження...

Номер патенту: 10521

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Квічко Ліля Абрамівна, Маліков Віталій Якович, Салійчук Олена Костянтинівна, Стадник Петро Ємельянович, Тіман Беніамін Липович, Коток Людмила Анатоліївна

МПК: G01N 29/00

Мітки: спосіб, високотемпературної, критичного, кераміки, надпровідної, вимірювання, густини, струму

Формула / Реферат:

Способ измерения плотности критического тока высокотемпературной сверхпроводящсй (ВТСП) керамики, четырехзондовым методом, ос­нованный на измерении величины транспортного тока, протекающего через образец в момент пере­хода ВТСП-керамики из сверхпроводящего в резистивное состояние, отличающийся тем, что образец ВТСП-керамики помещают в переменное магнитное поле звуковой частоты, измеряют вели­чину критического транспортного тока, определя­ют...

Пристрій для вимірювання фізичних властивостей матеріалів

Завантаження...

Номер патенту: 4041

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Стадник Петро Ємельянович, Маліков Віталій Якович, Тіман Беніамін Липович

МПК: G01N 29/00

Мітки: матеріалів, властивостей, фізичних, пристрій, вимірювання

Формула / Реферат:

Устройство для измерения физических свойств материалов, содержащее преобразователь звука, акустически связанные с ним между собой мембрану и предназначенный для закрепления контролируемого объекта шток, усилитель, выход которого соединен с преобразователем звука, катушку индуктивности, индуктивно связанную со штоком и подключенную ко входу усилителя. стакан, установленный в емкости с жидким азотом, в котором расположен шток в парах азота, и...

Пристрій для вимірювання фізичних властивостей матеріалів при низьких температурах

Завантаження...

Номер патенту: 3252

Опубліковано: 26.12.1994

Автори: Коток Людмила Анатоліївна, Тіман Беніамін Липович, Маліков Віталій Якович, Стадник Петро Ємельянович, Білогуров Юрій Петрович

МПК: G01N 29/00, H01B 12/00

Мітки: матеріалів, фізичних, властивостей, температурах, вимірювання, низьких, пристрій

Формула / Реферат:

Устройство для измерения физических свойств материалов при низких температурах. содержащее акустический преобразователь, акустически связанные с ним и между собой мембрану и предназначенный для закрепления контролируемого объекта шток, усилитель, выход которого соединен с преобразователем, и катушку индуктивности, индуктивно связанную со штоком и подключенную ко входу усилителя, отличающееся тем, что оно снабжено стаканом и...