Тіман Беніамін Липович
Hапівпровідhиковий елемеhт та спосіб його одержаhhя
Номер патенту: 16727
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Тіман Беніамін Липович
МПК: H01L 21/324
Мітки: спосіб, елемеhт, одержаhhя, hапівпровідhиковий
Формула / Реферат:
1. Полупроводниковый элемент, содержащий подложку с электродом и нанесенные на ее поверхность слои сульфида кадмия CdS и теллурида кадмия CdTe и второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности и расширения спектрального диапазона фоточувствительности, он содержит слой сульфида меди Сu2S, нанесенный на слой CdTe, второй электрод, нанесенный на поверхность Сu2S, при этом толщины слоев CdTe и Cu2S относятся как...
Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту
Номер патенту: 16599
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Пирогов Євген Миколайович, Тіман Беніамін Липович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Загвоздкін Борис Васильович, Кривошеін Вадим Іванович
МПК: C30B 29/32, C30B 15/00
Мітки: монокристалів, германату, вирощування, спосіб, вісмуту
Формула / Реферат:
Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из расплава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...
Спосіб одержання п’езонапівпровідникового матеріалу на основі сполук а
Номер патенту: 16670
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Файнер Михайло Шайович, Тіман Беніамін Липович, Загоруйко Юрій Анатолійович
МПК: B01D 7/02, H01L 41/00
Мітки: основі, одержання, п'езонапівпровідникового, матеріалу, спосіб, сполук
Формула / Реферат:
Способ получения пьезополупроводникового материала на Основе соединений АIIВIV, включающий выращивание кристаллических образцов, их отжиг в парах элемента VI группы, входящего в состав материала, нанесение на поверхность образца слоя акцепторной примеси элемента I группы и повторный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения темнового удельного сопротивления и расширения диапазона рабочей температуры, повторный отжиг ведут при...
Спосіб вимірювання густини критичного струму високотемпературної надпровідної кераміки
Номер патенту: 10521
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Квічко Ліля Абрамівна, Маліков Віталій Якович, Салійчук Олена Костянтинівна, Стадник Петро Ємельянович, Тіман Беніамін Липович, Коток Людмила Анатоліївна
МПК: G01N 29/00
Мітки: спосіб, високотемпературної, критичного, кераміки, надпровідної, вимірювання, густини, струму
Формула / Реферат:
Способ измерения плотности критического тока высокотемпературной сверхпроводящсй (ВТСП) керамики, четырехзондовым методом, основанный на измерении величины транспортного тока, протекающего через образец в момент перехода ВТСП-керамики из сверхпроводящего в резистивное состояние, отличающийся тем, что образец ВТСП-керамики помещают в переменное магнитное поле звуковой частоты, измеряют величину критического транспортного тока, определяют...
Пристрій для вимірювання фізичних властивостей матеріалів
Номер патенту: 4041
Опубліковано: 27.12.1994
Автори: Стадник Петро Ємельянович, Маліков Віталій Якович, Тіман Беніамін Липович
МПК: G01N 29/00
Мітки: матеріалів, властивостей, фізичних, пристрій, вимірювання
Формула / Реферат:
Устройство для измерения физических свойств материалов, содержащее преобразователь звука, акустически связанные с ним между собой мембрану и предназначенный для закрепления контролируемого объекта шток, усилитель, выход которого соединен с преобразователем звука, катушку индуктивности, индуктивно связанную со штоком и подключенную ко входу усилителя. стакан, установленный в емкости с жидким азотом, в котором расположен шток в парах азота, и...
Пристрій для вимірювання фізичних властивостей матеріалів при низьких температурах
Номер патенту: 3252
Опубліковано: 26.12.1994
Автори: Коток Людмила Анатоліївна, Тіман Беніамін Липович, Маліков Віталій Якович, Стадник Петро Ємельянович, Білогуров Юрій Петрович
МПК: G01N 29/00, H01B 12/00
Мітки: матеріалів, фізичних, властивостей, температурах, вимірювання, низьких, пристрій
Формула / Реферат:
Устройство для измерения физических свойств материалов при низких температурах. содержащее акустический преобразователь, акустически связанные с ним и между собой мембрану и предназначенный для закрепления контролируемого объекта шток, усилитель, выход которого соединен с преобразователем, и катушку индуктивности, индуктивно связанную со штоком и подключенную ко входу усилителя, отличающееся тем, что оно снабжено стаканом и...