Патенти з міткою «основах»

Розчин для наступного промивання на основі смоли для поліпшеної розсіювальної здатності електроосаджуваних композицій покриттів на металевих основах, які зазнали попередньої обробки

Завантаження...

Номер патенту: 113971

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Сільвернеіл Натан Дж., Перайн Стівен Д., Карабін Річард Ф., Паулік Майкл Дж.

МПК: C23C 28/02, C25D 13/00, C09D 5/44 ...

Мітки: електроосаджуваних, промивання, розсіювальної, композицій, покриттів, попередньо, наступного, обробки, здатності, зазнали, основі, основах, смолі, розчин, поліпшеної, металевих

Формула / Реферат:

1. Спосіб нанесення покриття на основу, який передбачає:(a) введення основи в контакт із розчином для попередньої обробки, який містить метал із групи ІІІВ і/або метал із групи IVB і електропозитивний метал;(b) введення основи в контакт із композицією розчину для наступного промивання на основі аніонної смоли; і(c) електрофоретичне осадження катіонної електроосаджуваної композиції покриття на основі.2. Спосіб за...

Каркас споруди з зубчастими барабанами на нерівнодеформуючих основах

Завантаження...

Номер патенту: 84581

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Редькіна Вікторія Вікторівна, Віноградов Володимир Миколайович, Кухар Ганна Володимирівна

МПК: E04B 1/18

Мітки: зубчастими, каркас, основах, барабанами, споруди, нерівнодеформуючих

Формула / Реферат:

Каркас споруди з зубчастими барабанами на нерівнодеформуючих основах, який містить стовпчасті фундаменти з можливістю прямовисного пересування, встановлені на них колони з зубчастими рейками, які входять у зчеплення з зубчастим колесом, який відрізняється тим, що в каркасі споруди з зубчастими барабанами на нерівнодеформуючих основах виконана телескопічна насадка, до якої жорстко кріпиться горизонтальна пластина і яка встановлена на верхній...

Каркас будинку, споруди, які зведені на просідаючих основах

Завантаження...

Номер патенту: 40302

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Віноградов Володимир Миколайович, Кухар Ганна Володимирівна, Петраков Олександр Олександрович

МПК: E02D 27/34, E02D 27/00

Мітки: основах, каркас, просідаючих, зведені, будинку, споруди

Формула / Реферат:

Каркас будинку, споруди, які зведені на просідаючій основі, що містить подовжні та поперечні ряди колон, встановлені на фундаментах, надколонну конструкцію та пристрій для перерозподілення навантаження від просідаючої колони на суміжні колони подовжнього ряду, який відрізняється тим, що пристрій для перерозподілення навантаження від просідаючої колони на суміжні колони подовжнього ряду має два зубчатих колеса, нижнє зубчате колесо з'єднане...

Поліуретанова смола, спосіб її одержання, покривна композиція на її основі, спосіб одержання ламінату, що несе друковане зображення, та застосування поліуретанової смоли для друкування на пластикових основах

Завантаження...

Номер патенту: 74401

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Есель Жіль, Ежен Дені, Катерін Жіль

МПК: C08G 18/48, C08G 18/72, C08G 18/12 ...

Мітки: основі, основах, друкування, смолі, поліуретанової, спосіб, поліуретанова, смола, композиція, одержання, несе, покривна, зображення, ламінату, пластикових, друковане, застосування

Формула / Реферат:

1. Поліуретанова смола, що є продуктом реакції принаймні одного діізоціанату та компонентів, які містять функціональні групи, здатні взаємодіяти з ізоціанатом, причому зазначені компоненти включають першу групу з принаймні одного поліолу, другу групу з принаймні одного поліолу та третю групу з принаймні одного поліолу, де всі поліоли зазначеної першої групи мають середню молекулярну масу в межах від 1000 до 10000 г/моль, де всі поліоли...

Спосіб одержання епітаксійних шарів арсеніду галію на кремнієвих основах рідкофазною епітаксією

Завантаження...

Номер патенту: 25348

Опубліковано: 30.10.1998

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: шарів, епітаксійних, арсеніду, галію, спосіб, основах, епітаксією, кремнієвих, одержання, рідкофазною

Формула / Реферат:

Способ получения эпитаксиальных слоев арсенида галлия на кремниевых подложках жидкофазной эпитаксией, включающий заполнение зазора между пластиной-источником арсенида галлия и подложкой раствором арсенида галлия и кремния в расплаве галлия и кристаллизацию слоев при периодическом колебании температуры путем охлаждения и последующего нагрева, отличающийся тем, что подложку кремния располагают над пластиной-источником при величине зазора между...