Патенти з міткою «рекомбінаційних»
Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках
Номер патенту: 67186
Опубліковано: 10.02.2012
Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Чирчик Сергій Васильович
МПК: G01N 27/00
Мітки: заряду, напівпровідниках, спосіб, рекомбінаційних, визначення, нерівноважних, носіїв, параметрів
Формула / Реферат:
Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...
Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в технологічних пластинах кремнію
Номер патенту: 53343
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: Смолич Олександр Сергійович, Чирчик Сергій Васильович, Лисоченко Сергій Васильович, Примаченко Іван Андрійович
МПК: G01N 27/00
Мітки: технологічних, кремнію, параметрів, спосіб, рекомбінаційних, визначення, пластинах
Формула / Реферат:
Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в технологічних пластинах кремнію, що включає імпульсне освітлення поверхні напівпровідника світлом з довжиною хвилі, меншою краю власного поглинання напівпровідника, постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною електромагнітною хвилею, вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду від часу за величиною потужності, відбитої або яка пройшла через зразок електромагнітної хвилі, і...
Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках
Номер патенту: 15589
Опубліковано: 17.07.2006
Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Чирчик Сергій Васильович
МПК: G01N 27/00
Мітки: параметрів, безконтактний, напівпровідниках, спосіб, рекомбінаційних, визначення
Формула / Реферат:
1. Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках, що включає нагрівання напівпровідника до температури, вищої за температуру навколишнього середовища, підтримують цю температуру сталою, опромінюють поверхню нагрітого напівпровідника монохроматичним світлом, для якого добуток коефіцієнта поглинання на дифузійну довжину носіїв заряду та добуток коефіцієнта поглинання на товщину напівпровідникового зразка набагато...