Шеремет Володимир Миколайович

Номер патенту: 108190

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Сай Павло Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Сафрюк Надія Володимирівна, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Кладько Василь Петрович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/45, H01L 21/268

Мітки: контакту, спосіб, омічного, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Пилипчук Олександр Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Новицький Сергій Вадимович, Іванов Володимир Миколайович, Ткаченко Олександр Кирилович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: низькотемпературного, типу, спосіб, напівпровідників, омічного, створення, контакту, а3в5

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Дуб Максим Миколайович, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч

МПК: H01L 29/40, H01L 23/52, H01L 23/48 ...

Мітки: приладу, термостійка, контактна, алмазу, омічна, напівпровідникового, система

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Сай Павло Олегович, Жиляєв Юрій Васільєвіч, Коростинська Тамара Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч, Капітанчук Леонід Мусійович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 21/268

Мітки: контактів, омічних, створення, спосіб, n-ain

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Сай Павло Олегович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Слєпова Олександра Станіславівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Голинна Тетяна Іванівна, Болтовець Микола Силович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: ганна, основі, діод

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Холевчук Володимир Васильович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Мітін Вадим Федорович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: G01K 1/00

Мітки: температури, датчик

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 21/00, H01L 21/268

Мітки: омічного, спосіб, виготовлення, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Номер патенту: 88970

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Сорокін Віктор Михайлович

МПК: G01N 27/00, G01N 25/00, G01N 21/00 ...

Мітки: світлодіодів, деградації, світлодіодних, спосіб, прогнозування, модулів

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів, що полягає в навантаженні сталим струмом світлодіодних модулів чи світлодіодів, реєстрації інтенсивності свічення L світлодіода чи елементів світлодіодного модуля протягом часу t при різних стабілізованих температурах Тзовн, який відрізняється тим, що додатково вимірюють температуру р-n переходу Твнутр окремого світлодіода чи кожного елемента світлодіодного модуля, яку...

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/66

Мітки: нвч, пристрій, дискретний, активний

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Номер патенту: 87820

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Коростинська Тетяна Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, контакту, формування, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 21/268

Мітки: контакту, кремнію, омічного, спосіб, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...

Номер патенту: 76966

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Сорокін Віктор Михайлович, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01N 25/00

Мітки: теплового, світлодіодної, структури, вимірювання, ланок, спосіб, опору

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплових параметрів ланок світлодіодної структури, який полягає в вимірюванні залежності температури p-n переходу світлодіода Τ від часу t після включення світлодіодної структури, вимірюванні потужності, що споживає світлодіодна структура Ρ1 і визначенні експериментальних значень Ri теплового опору і часових констант τi кожної з ланок структури, де і - номер ланки, який відрізняється тим, що додатково...

Номер патенту: 67186

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Чирчик Сергій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: G01N 27/00

Мітки: заряду, напівпровідниках, нерівноважних, спосіб, параметрів, визначення, носіїв, рекомбінаційних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Новицький Сергій Вадимович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Тарасов Ілля Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Бобиль Олександр Васильович, Арсентьєв Іван Микитович, Іванов Володимир Миколайович, Мілєнін Віктор Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: H01L 21/66

Мітки: діодів, якості, контакту, спосіб, катодного, ганна, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: G01N 25/00

Мітки: вимірювання, опору, спосіб, напівпровідникових, теплового, діодів

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович

МПК: H01L 21/268

Мітки: широкозонних, спосіб, контактів, омічних, напівпровідників, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...