Чирчик Сергій Васильович

Номер патенту: 67186

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Чирчик Сергій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01N 27/00

Мітки: напівпровідниках, параметрів, визначення, рекомбінаційних, заряду, носіїв, спосіб, нерівноважних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...

Номер патенту: 53343

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Чирчик Сергій Васильович, Смолич Олександр Сергійович, Лисоченко Сергій Васильович, Примаченко Іван Андрійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: пластинах, технологічних, спосіб, рекомбінаційних, кремнію, визначення, параметрів

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в технологічних пластинах кремнію, що включає імпульсне освітлення поверхні напівпровідника світлом з довжиною хвилі, меншою краю власного поглинання напівпровідника, постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною електромагнітною хвилею, вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду від часу за величиною потужності, відбитої або яка пройшла через зразок електромагнітної хвилі, і...

Номер патенту: 25457

Опубліковано: 10.08.2007

Автори: Чирчик Сергій Васильович, Коганович Елла Борисівна, Бєгун Євгенія Валеріївна, Кізяк Ірина Миронівна, Малютенко Володимир Костянтинович, Манойлов Едуард Геннадійович

МПК: H01L 21/02

Мітки: монокристалічного, поверхні, спосіб, пасивації, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб пасивації поверхні монокристалічного кремнію, що включає вилучення природного оксиду кремнію з його поверхні, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм, який відрізняється тим, що природний оксид кремнію видаляють травленням поверхні кремнію в 25-50 % HF розчині протягом 3-10 хвилин при кімнатній температурі, нанесення оксидної плівки та активацію межі її розподілу з кремнієм проводять одностадійно...

Номер патенту: 15589

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Чирчик Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: напівпровідниках, визначення, спосіб, безконтактний, рекомбінаційних, параметрів

Формула / Реферат:

1. Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках, що включає нагрівання напівпровідника до температури, вищої за температуру навколишнього середовища, підтримують цю температуру сталою, опромінюють поверхню нагрітого напівпровідника монохроматичним світлом, для якого добуток коефіцієнта поглинання на дифузійну довжину носіїв заряду та добуток коефіцієнта поглинання на товщину напівпровідникового зразка набагато...