Патенти з міткою «пластинах»

Номер патенту: 119693

Опубліковано: 10.10.2017

Автори: Волкогон Володимир Михайлович, Ковальчук Володимир Васильович, Скоропаденко Олександр Павлович, Кутрань Тамара Миколаївна

МПК: C04B 35/56

Мітки: багатошарових, графітової, тканини, суспензія, просочування, пластинах

Формула / Реферат:

Суспензія для просочування графітової тканини в багатошарових пластинах, яка містить лампову сажу, діоксид кремнію та кремній, яка відрізняється тим, що додатково містить карбід цирконію і силіцид тетрабору, при наступному співвідношенні компонентів, мас. %: лампова сажа 10-15; діоксид кремнію 5-10; силіцид тетрабору 10-25; ...

Номер патенту: 96545

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Попов Володимир Михайлович, Поканевич Олексій Платонович, Панін Анатолій Іванович, Клименко Анатолій Семенович

МПК: G01N 27/61, H01L 29/34, G01N 21/88 ...

Мітки: пластинах, локальних, батарей, спосіб, дефектів, сонячних, виявлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних дефектів в напівпровідникових пластинах сонячних батарей, що включає формування середовища у вигляді тонкого прозорого шару між прозорою скляною пластиною і поверхнею напівпровідникової пластини, підключення напівпровідникової пластини до джерела електричного живлення, при цьому електричні потенціали на поверхні напівпровідникової пластини виявляють по візуальному відображенню областей дефектів, який...

Номер патенту: 62085

Опубліковано: 10.08.2011

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: B82B 3/00, B81C 1/00

Мітки: багаторівневих, спосіб, формування, кремнієвих, порожнин, пластинах

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування багаторівневих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування горизонтальних порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію,...

Номер патенту: 53343

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Лисоченко Сергій Васильович, Примаченко Іван Андрійович, Чирчик Сергій Васильович, Смолич Олександр Сергійович

МПК: G01N 27/00

Мітки: пластинах, спосіб, визначення, рекомбінаційних, технологічних, параметрів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в технологічних пластинах кремнію, що включає імпульсне освітлення поверхні напівпровідника світлом з довжиною хвилі, меншою краю власного поглинання напівпровідника, постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною електромагнітною хвилею, вимірювання концентрації нерівноважних носіїв заряду від часу за величиною потужності, відбитої або яка пройшла через зразок електромагнітної хвилі, і...

Номер патенту: 48502

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Третяк Олег Васильович, Примаченко Іван Андрійович, Лисоченко Сергій Васильович, Єременко Вадим Олексійович, Карплюк Олександр Іванович, Жарких Юрій Серафимович

МПК: G01B 11/30

Мітки: спосіб, визначення, пластинах, шару, товщини, приповерхневого, мікродефектного, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб визначення товщини приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію, що включає опромінення зразка світлом і реєстрацію характеристик відбитої зразком частини опромінення, який відрізняється тим, що опромінення проводять в області прозорості кремнію інфрачервоним світлом з довжиною хвиль 1,3-27 мкм, а товщину приповерхневого мікродефектного шару на пластинах кремнію визначають за величиною довгохвильової межі густини шумів...

Номер патенту: 43198

Опубліковано: 10.08.2009

Автори: Голота Віктор Іванович, Когут Ігор Тимофійович

МПК: B81C 1/00, B82B 3/00

Мітки: порожнин, формування, пластинах, кремнієвих, спосіб, герметизованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування герметизованих порожнин в кремнієвих пластинах, що включає маскування за заданою топологією поверхні пластини, витравлювання в немаскованих місцях на задану глибину вертикальних щілин, покриття поверхні щілин нітридом кремнію і його селективне витравлення на дні щілини, поглиблення щілин витравлюванням кремнію та формування порожнин-тунелів і звисаючих в них зі стінок щілин ділянок із нітриду кремнію та окислення...

Номер патенту: 84808

Опубліковано: 25.11.2008

Автори: Попов Володимир Михайлович, Клименко Анатолій Семенович, Мошель Микола Васильович, Поканевич Олексій Платонович

МПК: G01N 21/00, G01N 13/00, G01N 21/66 ...

Мітки: батарей, сонячних, спосіб, виявлення, дефектів, локальних, тепловиділяючих, пластинах

Формула / Реферат:

1. Спосіб виявлення локальних тепловиділяючих дефектів в пластинах сонячних батарей, що включає накривання поверхні пластини діелектричною термочутливою плівкою, прикладення зворотної електричної напруги до пластини та виявлення візуально відображених локально нагрітих тепловиділяючими дефектами областей поверхні пластини, який відрізняється тим, що поверхню пластини сонячної батареї накривають діелектричною прозорою тришаровою пластиною,...

Номер патенту: 73796

Опубліковано: 15.09.2005

Автори: Чаусов Микола Георгійович, Пилипенко Андрій Петрович

МПК: G01N 3/00

Мітки: широких, довжини, різної, малогабаритних, результатами, відповідають, напружень, зразків, пластинах, спосіб, старту, прогнозування, випробувань, макротріщин

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування напружень, що відповідають стартові макротріщин різної довжини в широких пластинах, за результатами випробувань малогабаритних зразків, в якому на серію малогабаритних зразків з листового матеріалу наносять вихідні концентратори у вигляді тріщин різної довжини, статично навантажують їх до руйнування, реєструють параметри руйнування, визначають залишкову міцність пластини з тріщинами різної довжини, будують діаграму...

Номер патенту: 12083

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Власов Вячеслав Васильович, Гопкало Олександр Григорович, Тетерьвов Валерій Іванович, Самойленко Лідія Олександрівна

МПК: H01L 21/302

Мітки: пластинах, пристрій, виготовлення, фаски, круглих

Формула / Реферат:

Устройство для изготовления фаски на круг­лых пластинах, содержащее притир, имеющий возможность вращаться вокруг своей оси, головку с наклонными цилиндрическими отверстиями, стальные цилиндрические держатели обрабатыва­емых пластин, имеющие возможность входить в отверстия головки, и привод вращения держате­лей, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, каждое цилиндрическое от­верстие снабжено подвижной немагнитной...

Номер патенту: 7373

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Кудіна Альбіна Вікторівна, Литовченко Володимир Григорович, Рудський Ігор Володимирович, Москаль Денис Миколайович, Романюк Борис Миколайович, Попов Валентин Георгійович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Думбров Володимир Іванович

МПК: H01L 21/322

Мітки: геттерування, внутрішнього, пластинах, кремнійових, спосіб

Формула / Реферат:

Способ внутреннего геттерирования в кремни­евых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухста­дийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения эффектив­ности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечи­вающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...