Патенти з міткою «напівпровідниках»

Номер патенту: 109308

Опубліковано: 25.08.2016

Автори: Сімченко Сергій Володимирович, Стиров Владислав Володимирович

МПК: C25B 5/00, H01L 25/00

Мітки: електричну, напівпровідниках, протіканні, прямого, енергії, гетерогенних, хімічної, спосіб, перетворення, реакцій

Формула / Реферат:

1. Спосіб перетворення хімічної енергії в електричну, що включає створення атомно-молекулярної суміші або суміші радикалів у газовій фазі, компоненти якої можуть вступати в екзотермічну хімічну реакцію; поміщення в цю суміш напівпровідникового пристрою, поверхня якого в контакті з такою сумішшю ініціює на поверхні гетерогенну хімічну реакцію між компонентами суміші, що супроводжується появою в напівпровідниковому пристрої електричного струму...

Номер патенту: 91869

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: пристрій, епітаксіальних, товщини, визначення, шарів, напівпровідниках

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, біполярний транзистор, перший та другий конденсатори та джерело постійної...

Номер патенту: 91868

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/12

Мітки: товщини, мікроелектронний, пристрій, напівпровідниках, шарів, визначення, епітаксіальних

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення товщини епітаксіальних шарів в напівпровідниках, що містить джерело світла та епітаксіальну структуру, що послідовно з'єднані між собою, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить фоторезистор, резистор, перший та другий польові транзистори, індуктивність, обмежувальний конденсатор, дві вихідні клеми та джерело...

Номер патенту: 89370

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Осадчук Володимир Степанович, Крилик Людмила Вікторівна, Дуда Роман Валерійович, Осадчук Олександр Володимирович

МПК: G01N 27/12

Мітки: пристрій, визначення, носіїв, напівпровідниках, часу, заряду, життя

Формула / Реферат:

Пристрій для визначення часу життя носіїв заряду, що містить генератор спарених імпульсів, що складається з першого та другого генераторів прямокутних імпульсів, лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який паралельно з'єднаний з першим та другим генераторами прямокутних імпульсів та лінією затримки, яка послідовно з'єднана з першим генератором прямокутних імпульсів, другий генератор прямокутних імпульсів паралельно з'єднаний з першим...

Номер патенту: 84424

Опубліковано: 25.10.2013

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Крилик Людмила Вікторівна, Дуда Роман Валерійович, Осадчук Володимир Степанович

МПК: G01N 27/00

Мітки: мікроелектронний, заряду, напівпровідниках, пристрій, життя, носіїв, визначення, часу

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення часу життя носіїв заряду в напівпровідниках, який містить генератор спарених імпульсів, що складається з двох генераторів прямокутних імпульсів та лінії затримки, а також обмежувача імпульсів, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу, мікроелектронний частотний перетворювач, що містить перший та другий резистори, перший та другий польові транзистори, індуктивність,...

Номер патенту: 67186

Опубліковано: 10.02.2012

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Чирчик Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: заряду, параметрів, рекомбінаційних, нерівноважних, спосіб, напівпровідниках, визначення, носіїв

Формула / Реферат:

Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович, Абашин Сергій Леонідович, Чуйко Олексій Сергійович, Комарь Віталій Корнійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Чугай Олег Миколайович, Терзін Ігор Сергійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: спосіб, носіїв, вимірювання, струму, нерівноважних, часу, життя, напівпровідниках

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Номер патенту: 46501

Опубліковано: 25.12.2009

Автори: Осадчук Олександр Володимирович, Плахотнюк Максим Миколайович, КРАВЧЕНКО ЮРІЙ СТЕПАНОВИЧ, Осадчук Володимир Степанович

МПК: H01L 21/00

Мітки: мікроелектронний, визначення, напівпровідниках, неосновних, пристрій, дифузійної, заряду, довжини, носіїв

Формула / Реферат:

Мікроелектронний пристрій для визначення дифузійної довжини неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, який містить лазерне джерело світла, розташоване над діафрагмою та оптично зв'язане з фокусуючою системою, яка складається з фокусуючих лінз, а також з джерела живлення і системи контактів, з'єднаних із зразком, та паралельно з'єднаних з опором навантаження, який відрізняється тим, що в нього введено блок обробки та індикації сигналу,...

Номер патенту: 87523

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Шпак Іван Іванович

МПК: H01L 21/66, G01N 21/59, G01N 25/00 ...

Мітки: температурної, напівпровідниках, визначення, спосіб, склоподібних, проміжного, існування, порядку, області

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді

Номер патенту: 25864

Опубліковано: 27.08.2007

Автори: Студеняк Ігор Петрович, Шпак Іван Іванович

МПК: G01K 17/00

Мітки: проміжного, спосіб, температурної, області, визначення, напівпровідниках, склоподібних, порядку, існування

Формула / Реферат:

Спосіб визначення температурної області існування проміжного порядку в склоподібних напівпровідниках, який включає експериментальні дослідження фізичних властивостей склоподібних напівпровідників, який відрізняється тим, що проводять температурні дослідження краю оптичного поглинання склоподібних напівпровідників і представляють енергетичну ширину w краю оптичного поглинання у вигляді:w = wT + (wX)stat+(wx)dyn,після чого...

Номер патенту: 15589

Опубліковано: 17.07.2006

Автори: Малютенко Володимир Костянтинович, Чирчик Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: параметрів, визначення, рекомбінаційних, спосіб, напівпровідниках, безконтактний

Формула / Реферат:

1. Безконтактний спосіб визначення рекомбінаційних параметрів в напівпровідниках, що включає нагрівання напівпровідника до температури, вищої за температуру навколишнього середовища, підтримують цю температуру сталою, опромінюють поверхню нагрітого напівпровідника монохроматичним світлом, для якого добуток коефіцієнта поглинання на дифузійну довжину носіїв заряду та добуток коефіцієнта поглинання на товщину напівпровідникового зразка набагато...

Номер патенту: 67130

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Новіков Сергій Сергійович, Третяк Олег Васильович, Жарких Юрій Серафимович, Лисоченко Сергій Васильович

МПК: G01N 27/00

Мітки: неосновних, визначення, зміщення, дифузійного, довжини, спосіб, носіїв, напівпровідниках, заряду

Формула / Реферат:

Спосіб визначення довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає освітлення поверхні зразка світловим зондом у вигляді смужки і наступне сканування вздовж поверхні зразка в неосвітленій області з вимірюванням струму в колі тонкого дротяного металевого зонда, який відрізняється тим, що зонду надають зворотно-поступальний коливальний рух в напрямку нормальному до поверхні зразка з звуковою частотою, а...

Номер патенту: 57427

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Бабиченко Сергій Васильович, Бородін Борис Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: заряду, об`ємного, швидкості, рекомбінації, носіїв, поверхневої, життя, часу, вимірювання, напівпровідниках, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного напівпровідникового зразка в НВЧ резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його гармонійно модульованим монохроматичним світлом, виділенні на виході вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності, який відрізняється тим, що здійснюють вимірювання спектрального...

Номер патенту: 38308

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Бородін Борис Григорович, Гордієнко Юрій Омелянович

МПК: G01N 21/41, H01L 21/66

Мітки: життя, заряду, напівпровідниках, вимірювання, об`ємного, носіїв, швидкості, поверхневої, часу, спосіб, рекомбінації

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання об'ємного часу життя і швидкості поверхневої рекомбінації носіїв заряду у напівпровідниках, який заснований на розміщенні досліджуваного   напівпровідникового   зразка   в   НВЧ   резонаторному вимірювальному перетворювачі, освітленні його по черзі світлом яке сильно і слабко поглинається у матеріалі напівпровідника, виділенні на виході резонаторного вимірювального перетворювача сигналів фотопровідності при сильному і...