Кудрик Ярослав Ярославович
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-si
Номер патенту: 106825
Опубліковано: 10.05.2016
Автори: Конакова Раїса Василівна, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович
МПК: H01L 21/268, H01L 29/00
Мітки: термостійких, метал-si, виготовлення, контактних, спосіб, систем
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Насиров Махсуд Уалієвич
МПК: H01L 29/47
Мітки: бар'єрних, спосіб, виготовлення, а3в5, напівпровідникових, контактів, типу, з'єднань
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...
Фосфід-індієвий діод ганна
Номер патенту: 103208
Опубліковано: 10.12.2015
Автори: Болтовець Микола Силович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна, Семенов Олександр Володимирович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Зайцев Борис Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Виноградов Анатолій Олегович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: H01L 29/861, H01L 47/00
Мітки: ганна, фосфід-індієвий, діод
Формула / Реферат:
1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію
Номер патенту: 101023
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268, H01L 21/314
Мітки: омічного, виготовлення, n+-кремнію, спосіб, ненагрівний, контакту
Формула / Реферат:
Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів
Номер патенту: 101022
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Басанець Володимир Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01R 31/26, G01R 27/04, G01R 19/28 ...
Мітки: імпульсних, лавинно-пролітних, відбраковування, спосіб, ненадійних, діодів, потенційно
Формула / Реферат:
Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-si
Номер патенту: 91936
Опубліковано: 25.07.2014
Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Шеремет Володимир Миколайович, Саченко Анатолій Васильович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/00, H01L 21/268
Мітки: контакту, омічного, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...
Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів
Номер патенту: 88970
Опубліковано: 10.04.2014
Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович, Сорокін Віктор Михайлович
МПК: G01N 25/00, G01N 27/00, G01N 21/00 ...
Мітки: світлодіодів, прогнозування, світлодіодних, спосіб, модулів, деградації
Формула / Реферат:
Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів, що полягає в навантаженні сталим струмом світлодіодних модулів чи світлодіодів, реєстрації інтенсивності свічення L світлодіода чи елементів світлодіодного модуля протягом часу t при різних стабілізованих температурах Тзовн, який відрізняється тим, що додатково вимірюють температуру р-n переходу Твнутр окремого світлодіода чи кожного елемента світлодіодного модуля, яку...
Спосіб формування омічного контакту до n-si
Номер патенту: 87820
Опубліковано: 25.02.2014
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Болтовець Микола Силович, Саченко Анатолій Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тетяна Василівна, Аніщик Віктар Міхайлавіч
МПК: H01L 21/268
Мітки: контакту, формування, омічного, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...
Спосіб створення омічного контакту до inp та gaas
Номер патенту: 83664
Опубліковано: 25.09.2013
Автори: Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Іванов Володимир Миколайович, Бобиль Олександр Васильович, Саченко Анатолій Васильович, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович
МПК: H01L 21/268
Мітки: контакту, омічного, створення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...
Спосіб формування омічного контакту до кремнію
Номер патенту: 78936
Опубліковано: 10.04.2013
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Новицький Сергій Вадимович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/268
Мітки: омічного, кремнію, контакту, спосіб, формування
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...
Спосіб вимірювання теплового опору ланок світлодіодної структури
Номер патенту: 76966
Опубліковано: 25.01.2013
Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Сорокін Віктор Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: G01N 25/00
Мітки: ланок, структури, світлодіодної, теплового, вимірювання, спосіб, опору
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання теплових параметрів ланок світлодіодної структури, який полягає в вимірюванні залежності температури p-n переходу світлодіода Τ від часу t після включення світлодіодної структури, вимірюванні потужності, що споживає світлодіодна структура Ρ1 і визначенні експериментальних значень Ri теплового опору і часових констант τi кожної з ланок структури, де і - номер ланки, який відрізняється тим, що додатково...
Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках
Номер патенту: 67186
Опубліковано: 10.02.2012
Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Чирчик Сергій Васильович
МПК: G01N 27/00
Мітки: спосіб, рекомбінаційних, параметрів, напівпровідниках, заряду, носіїв, визначення, нерівноважних
Формула / Реферат:
Спосіб визначення рекомбінаційних параметрів нерівноважних носіїв заряду в напівпровідниках, що включає постійне опромінення напівпровідника надвисокочастотною (НВЧ) електромагнітною хвилею і освітлення поверхні напівпровідника імпульсом світла з довжиною хвилі l1, меншою краю власного поглинання напівпровідника, і тривалістю фронту спадання інтенсивності набагато менше ефективного часу життя нерівноважних носіїв заряду у напівпровіднику...
Спосіб контролю якості катодного контакту діодів ганна
Номер патенту: 65725
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Новицький Сергій Вадимович, Арсентьєв Іван Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Бобиль Олександр Васильович, Мілєнін Віктор Володимирович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Тарасов Ілля Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович
МПК: H01L 21/66
Мітки: катодного, контакту, ганна, діодів, якості, контролю, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...
Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів
Номер патенту: 65395
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01N 25/00
Мітки: теплового, напівпровідникових, діодів, вимірювання, опору, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...
Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників
Номер патенту: 61621
Опубліковано: 25.07.2011
Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Мілєнін Віктор Володимирович
МПК: H01L 21/268
Мітки: створення, широкозонних, напівпровідників, спосіб, омічних, контактів
Формула / Реферат:
Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...
Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника
Номер патенту: 55762
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович
МПК: G01R 27/08
Мітки: омічного, пристрій, вимірювання, контакту, напівпровідника, параметрів
Формула / Реферат:
Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.
Діод ганна з фосфіду індія
Номер патенту: 49990
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Бєляєв Олександр Євгенійович, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Іванов Володимир Миколайович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Кудрик Ярослав Ярославович, Міленін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Васильйовна
МПК: H01L 29/00, H01L 47/00
Мітки: діод, ганна, індія, фосфіду
Формула / Реферат:
Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...
Апаратура для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (лпд)
Номер патенту: 47386
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна
МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...
Мітки: надпотужних, діодів, лавинопрольотних, імпульсних, надійності, діагностики, апаратура, лпд, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...