Патенти з міткою «резистів»
Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах позитивних халькогенідних резистів
Номер патенту: 100965
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Данько Віктор Андрійович, Індутний Іван Захарович, Минько Віктор Іванович, Луканюк Марія Василівна, Шепелявий Петро Євгенович
МПК: G03F 7/26, G03F 1/56, G03G 5/10 ...
Мітки: спосіб, літографічних, періодичних, шарах, позитивних, масок, рельєфно-фазових, формування, структур, резистів, халькогенідних
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від Tg-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду,...