G03F 1/56 — органічні абсорбенти, наприклад фоторезисти
Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах позитивних халькогенідних резистів
Номер патенту: 100965
Опубліковано: 25.08.2015
Автори: Індутний Іван Захарович, Данько Віктор Андрійович, Шепелявий Петро Євгенович, Минько Віктор Іванович, Луканюк Марія Василівна
МПК: G03G 5/10, G03F 1/56, G03F 7/26 ...
Мітки: спосіб, періодичних, шарах, літографічних, позитивних, структур, халькогенідних, масок, рельєфно-фазових, резистів, формування
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування літографічних масок та рельєфно-фазових періодичних структур на шарах халькогенідних резистів, який включає нанесення на підкладинку шару резисту з неорганічної халькогенідної сполуки, відпал резисту протягом 1-3 годин при температурі від Tg-5 до Tg-15 °C, де Tg - температура розм'якшення даного халькогеніду, експонування резисту випромінюванням спектрального складу, що відповідає міжзонному поглинанню халькогеніду,...