Патенти з міткою «широкозонних»

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Мілєнін Віктор Володимирович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічних, створення, спосіб, напівпровідників, контактів, широкозонних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...