Новицький Сергій Вадимович

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Веремійченко Георгій Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Слєпова Олександра Станіславівна, Конакова Раїса Василівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Зайцев Борис Васильович, Болтовець Микола Силович, Семенов Олександр Володимирович, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 47/00, H01L 29/861

Мітки: діод, ганна, фосфід-індієвий

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Саченко Анатолій Васильович, Ткаченко Олександр Кирилович, Пилипчук Олександр Сергійович, Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Новицький Сергій Вадимович, Іванов Володимир Миколайович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: типу, низькотемпературного, контакту, а3в5, спосіб, омічного, напівпровідників, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Новицький Сергій Вадимович, Шеремет Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: нвч, дискретний, пристрій, активний

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Номер патенту: 83664

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Бобиль Олександр Васильович, Кудрик Ярослав Ярославович, Іванов Володимир Миколайович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, контакту, створення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Саченко Анатолій Васильович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, контакту, кремнію, формування, омічного

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Арсентьєв Іван Микитович, Мілєнін Віктор Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Тарасов Ілля Сергійович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Кудрик Ярослав Ярославович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Бобиль Олександр Васильович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/66

Мітки: ганна, контакту, спосіб, контролю, катодного, діодів, якості

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Мілєнін Віктор Володимирович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Новицький Сергій Вадимович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, омічних, контактів, створення, широкозонних, напівпровідників

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...