Ілюк Ігор Євгенович

Номер патенту: 33303

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Андрощук Олександр Максимович, Ілюк Ігор Євгенович, Шпет В'ячеслав Якович

МПК: C08L 95/00

Мітки: асфальтобетонна, суміш

Формула / Реферат:

Асфальтобетонна суміш, що містить змішані у мінеральну складову в нагрітому стані щебінь/гравій, природний і/або штучно подрібнений пісок, мінеральний порошок і нафтовий дорожній бітум як в'яжучий компонент, яка відрізняється тим, що в складі мінеральної складової як мінеральний порошок суміш містить менілітовий мінеральний порошок при наступному співвідношенні компонентів, %: щебінь/гравій 25-55 природний і/або штучно...

Номер патенту: 11101

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пенцак Іван Борисович, Чекмезов Олександр Миколайович, Бідник Дмитро Ілліч, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович

МПК: G01R 31/28

Мітки: виявлення, колах, дефектів, схем, інтегральних, вивідних, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ обнаружения дефектов в выводных цепях интегральных схем, включающий разделение выводов на группы, подачу на объект контроля испытательного напряжения, регистрацию величины тока на выводах объекта контроля, сравнение полученного результата со значением тока утечки и отбраковку, отличающийся тем, что величину испытательного напряжения выбирают из соотношения0.1 UH =>Uи=>(1+0,02K)Ukгде Uн - номинальное напряжение,...

Номер патенту: 12279

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пенцак Іван Борисович, Ілюк Ігор Євгенович, Саванєвський Володимир Григорович, Молчанов Костянтин Вікторович, Михальчук Леонід Миколайович

МПК: H03K 17/22, H03K 23/00

Мітки: пропадання, лічильник-реєстратор, напруги

Формула / Реферат:

Счетчик-регистратор пропадания напряже­ния, содержащий диод, транзистор, резистор, счет­ное устройство и конденсатор, первый вывод которого подключен к коллектору транзистора и через диод в прямом направлении к первой шине питания, а второй вывод конденсатора подключен к второй шине питания, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности за счет упрощения устройства, в него введен операционный усилитель, прямий вход и первый вывод...

Номер патенту: 11373

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бідник Дмитро Ілліч, Лабунов Володимир Архипович, Лазарук Сергій Костянтинович, Ілюк Ігор Євгенович, Гуменюк Степан Дмитрович, Баранов Ігор Ліверійович, Казінов Володимир Олександрович

МПК: H01L 21/28

Мітки: виготовлення, мікросхем, приладів, напівпровідникових, спосіб, металізації, інтегральних

Формула / Реферат:

Способ изготовления металлизации полу­проводниковых приборов и интегральных микро­схем, включающий осаждение на полупро­водниковую пластину пленки алюминия, нанесе­ние слоя фоторезиста и формирование в нем кон­фигурации дорожек межсоединений шириной до 4·10-5 м и контактных площадок, создание разде­лительного окисла пористым анодным окислением слоя алюминия, формирование пассивирующего окисла, удаление фоторезиста с контактных пло­щадок,...

Номер патенту: 9783

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Пенцак Іван Борисович, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Чекмезов Олександр Миколайович, Остапчук Анатолій Іванович

МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, G01R 31/01 ...

Мітки: відбраковки, ненадійних, спосіб, кмон, інтегральних, схем

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки ненадежных КМОП интегральных схем, включающий пропускание стабильного тока между одним из питающих выводов, объединенным с входными выводами интегральной схемы, и другим питающим выводом интегральной схемы, измерение напряжения между питающими выводами интегральной схемы, отбраковку интегральной схемы по результатам измерений, отличающийся тем, что измеряют напряжение между питающими выводами интегральной схемы при...

Номер патенту: 7149

Опубліковано: 30.06.1995

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Ілюк Ігор Євгенович, Чекмезов Олександр Миколайович, Воронцов Володимир Анатолійович, Пенцак Іван Борисович, Молчанов Костянтин Вікторович

МПК: G01R 31/26

Мітки: відбраковки, спосіб, ненадійних, кмон

Текст:

...замер пробивного напряжения (фиг. 1, где для ИС N: 1, 2 и 3 на кривых ВАХ 1, 2, 3 соответствующими пробивными напряжениями являют- 45 ся Ui\ U2' и из'). Полученные результаты сравнивают с имеющимся (для каждого типа приборов) эталонным пробивным напряжением UN. ИС со значениями пробивного наполнения меньшим U N отбраковываются 50 (например, кривая 2 на фиг. 1, где U2' < UN). На втором этапе замеряют пробивные напряжения при...

Номер патенту: 6596

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Остапчук Анатолій Іванович, Пенцак Іван Борисович, Чеха Володимир Миколайович

МПК: G01R 31/28

Мітки: випробовування, кіл, спосіб, вивідних, схем, інтегральних

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ испытания выводных цепей интегральных схем, в соответствии с которым разделяют выводы объекта контроля на группы, подают на него испытательные напряжения, регистрируют значение проводимости на клеммах для подключения объекта контроля, сравнивают полученные результаты с эталонными значениями, производят отбраковку, отличающийся тем, что отбраковку интегральных схем производят по значению проводимости их выводных цепей, которое...

Номер патенту: 6595

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Пенцак Іван Борисович, Бідник Дмитро Ілліч, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович

МПК: G01R 31/28

Мітки: інтегральних, схем, спосіб, відбраковки

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ отбраковки интегральных схем, включающий подачу на объект контроля напряжения питания и испытательных сигналов, замер первого и второго значений сопротивления, определение информативного параметра и отбраковку, отличающийся тем, что в качестве информативного параметра используют квазиравновесное сопротивление объекта контроля в активном режиме, а его значение при номинальном испытательном режиме принимают за эталон, при этом...

Номер патенту: 5309

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Остапчук Анатолій Іванович, Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович

МПК: G01R 31/28

Мітки: електротермотренування, мікросхем, спосіб, інтегральних

Формула / Реферат:

Способ электротермотренировки интегральных микросхем, в соответствии с которым подают тестовые воздействия и напряжение питания на клеммы для подключения объекта контроля, к выходу же объекта контроля подключают нагрузку, отличающийся тем, что электротермотренировку проводят при температуре окружающей среды в режиме, обеспечивающем пиковую мощность рассеивания объекта контроля, при этом кратковременно подают одновременно на входные и питающие...

Номер патенту: 4059

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Чекмезов Олександр Миколайович, Молчанов Костянтин Вікторович, Остапчук Анатолій Іванович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович

МПК: H01L 21/66

Мітки: інтегральних, схем, технологічних, контролю, структура, тестова, параметрів

Формула / Реферат:

Тестовая структура для контроля технологических параметров интегральных схем, содержащая полупроводниковую подложку со сформированными на ней квадратным и полосчатым резисторами, а также соединенные с ними проводящие дорожки, имеющие контактные площадки на концах, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит второй квадратный резистор, а на поверхность структуры нанесен маскирующий слой с окнами, расположенными над полосчатым и одним из...

Номер патенту: 3333

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Навроцький Михайло Васильович, Молчанов Костянтин Вікторович, Алєксандров Євген Веніамінович, Ілюк Ігор Євгенович

МПК: H01L 21/265

Мітки: травлення, спосіб, пластин, іонного

Формула / Реферат:

1. Способ ионного травления пластин, включающий размещение пластин на электроде и обработку пластин путем чередования стадий травления и откачки, отличающийся тем, что во время вакуумной откачки пластины поворачивают вокруг общей оси, параллельной осям пластин, на угол , который выбирают из условия

Номер патенту: 1774

Опубліковано: 25.10.1994

Автори: Ілюк Ігор Євгенович, Бабій Ігор Євгенович, Александров Євген Веніамінович, Сьома Богдан Дмитрович, Молчанов Костянтин Вікторович

МПК: H01L 21/306

Мітки: обробки, напівпровідникових, пластин, спосіб, поверхневих, шарів

Формула / Реферат:

Способ обработки поверхностных слоев полупроводниковых пластин, включающий установку рабочих полупроводниковых пластин на одинаковом расстоянии одна от другой в кассету, установку перед первой и после последней рабочими пластинами балластных пластин на том же расстоянии и последующую обработку, отличающийся тем. что в качестве балластных используют пластины, на поверхность которых нанесен обрабатываемый слой в едином цикле с рабочими...