Патенти з міткою «діодів»

Номер патенту: 120347

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Філіпщук Олександр Миколайович, Глухова Валентина Іванівна, Самойлов Микола Олександрович, Фролов Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Шевченко Віктор Васильович

МПК: H01L 21/761, H01L 21/00

Мітки: діодів, виготовлення, змінною, ємністю, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію, термічне окислювання, селективне видалення...

Номер патенту: 115334

Опубліковано: 25.10.2017

Автори: Реверсат Фаб'єн, Буве П'єр, Руж'є Стефан

МПК: H02G 1/12

Мітки: синіх, діодів, електричних, пристрій, зачищування, використанням, фіолетових, кабелів, лазерних

Формула / Реферат:

1. Пристрій зачищування електричних кабелів, що включає в себе з одного боку щонайменше один зачищувальний пучок (10, 11; 110, 111; 209), який випускається лазерним джерелом (1; 101; 201) і фокусується оптичною системою (2-4; 102, 103; 203-208) в точці розрізу (12, 13), і з іншого боку щонайменше один канал (6; 106) прийому ділянки зачищуваного кабелю, який відрізняється тим, що кожне лазерне джерело включає в себе лазерний діод (1; 101;...

Номер патенту: 102197

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Боскін Олег Осипович, Філіпщук Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 29/93, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: спосіб, виготовлення, змінною, діодів, високовольтних, ємністю

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сліпокуров Віктор Сергійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01R 31/26, G01R 27/04, G01R 19/28 ...

Мітки: діодів, лавинно-пролітних, спосіб, імпульсних, ненадійних, потенційно, відбраковування

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Номер патенту: 95018

Опубліковано: 10.12.2014

Автори: Вільчинський Дмитро Васильович, Тропіна Альбіна Альбертівна

МПК: F02P 15/00

Мітки: відновленням, генератор, імпульсів, ддрв, фронтом, різким, базі, наносекундним, діодів, дрейфових, запалювання

Формула / Реферат:

Генератор імпульсів запалювання з наносекундним фронтом на базі дрейфових діодів із різким відновленням (ДДРВ), що містить: перетворювач напруги, резистори, конденсатори, перетворювач напруги (12-300 В), резистори (R1-R7), конденсатори (С1-С3), діоди (D1-D6), транзистор (IGBT), мікросхеми (74НС123), мікросхему (ТС4452), котушку індуктивності (L1), трансформатор (TR1), діод (ДДРВ), високовольтний провід, свічку запалення.

Номер патенту: 92087

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Брус Віктор Васильович, Мар'янчук Павло Дмитрович

МПК: H01L 33/00

Мітки: діодів, шотткі, спосіб, плівок, графіту, фоточутлівих, виготовлення, основі

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фоточутливих діодів Шотткі на основі плівок графіту, що передбачає їх нанесення на поверхню напівпровідника, який відрізняється тим, що нанесення графітової плівки здійснюють шляхом ковзання об'ємного зразка високочистого графіту при фіксованому навантаженні по підготовленій поверхні напівпровідникової підкладки.

Номер патенту: 79669

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/31, H01L 21/329, H01L 21/04 ...

Мітки: шотткі, охоронним, виготовлення, діодів, спосіб, кільцем

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Арсентьєв Іван Микитович, Веремійченко Георгій Микитович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович, Конакова Раїса Василівна, Бобиль Олександр Васильович, Тарасов Ілля Сергійович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/66

Мітки: діодів, ганна, катодного, контакту, спосіб, якості, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович

МПК: G01N 25/00

Мітки: опору, вимірювання, діодів, теплового, спосіб, напівпровідникових

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 60700

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Фролов Олександр Миколайович, Сєліверстова Світлана Ростиславівна, Сєліверстов Ігор Анатолійович

МПК: H01L 21/04, H01L 21/31, H01L 21/329 ...

Мітки: кільцем, шотткі, охоронним, діодів, кремнієвих, спосіб, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення кремнієвих діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію...

Номер патенту: 59485

Опубліковано: 10.05.2011

Автори: Цушко Павло Миколайович, Коваль Сергій Трохимович, Маслак Олена Геннадіївна

МПК: G01N 21/17

Мітки: світловипромінюючих, діодів, визначення, набору, спектральної, допомогою, чутливості, приймачів, спосіб, випромінювання, оптичного

Формула / Реферат:

Спосіб визначення спектральної чутливості фотоприймача, при якому приймач освітлюють монохроматичним випромінюванням, сигнал з якого порівнюють з еталонним, який відрізняється тим, що монохроматор або оптичні фільтри, механічний модулятор та еталонний приймач замінені на набір світловипромінюючих діодів, що працюють на різних ділянках спектра та керуються мікроконтролером, підключеним до персонального комп'ютера з програмним забезпеченням,...

Номер патенту: 91578

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/04, H01L 21/00

Мітки: виготовлення, діодів, тестова, процесі, структура, рекомбінації, параметрів, p-і-n, визначення, генерації

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації носіїв заряду в процесі виготовлення р-і-n діодів, що має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад р+-область, розташовану на напівпровідниковій основі n-типу провідності, область керованого збіднення (3), що прилягає до р+-області (1), шар ізолятора (5), що покриває р+-область та частину напівпровідникової основи, нанесений...

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01R 31/26, G01R 19/28, G01R 27/04 ...

Мітки: діодів, апаратура, напівпровідникових, надпотужних, імпульсних, діагностики, надійності, лпд, лавинопрольотних

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 87043

Опубліковано: 10.06.2009

Автори: Фролов Костянтин Олександрович, Фролов Олександр Олександрович, Лубяний Віктор Захарович

МПК: H01L 21/329, H01L 21/04

Мітки: спосіб, діодів, виготовлення, високовольтних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення високовольтних діодів в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури, високотемпературне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за допомогою дифузії домішки другого типу...

Номер патенту: 38842

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: генерації, процесі, параметрів, виготовлення, структура, тестова, рекомбінації, визначення, p-і-n, діодів

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації в процесі виготовлення p-i-n діодів для реєстрації зворотного струму через р-n перехід керованого полем діода, яка має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад, р+ область, розташовану на основі n-типу, область керованого збіднення (3), що примикає до області (1), шар ізолятора (5), що покриває основу зі сторони згаданої р+...

Номер патенту: 67122

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Коляда Алевтина Іванівна, Губенко Лідія Іллівна, Коваленко Олена Костянтинівна, Копаєва Ольга Вікторівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/22

Мітки: полярності, діодів, виготовлення, спосіб, структур, прямої

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення структур діодів прямої полярності, який включає створення на катодній поверхні пластини n-кремнію локального маскувального покриття, формування зон металу-розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації наскрізних відокремлюючих областей по периметру структур, створення цих наскрізних відокремлюючих областей термоміграцією з одночасною дифузією алюмінію з пари, видалення маски і подальшу дифузію фосфору в...