Патенти з міткою «tl4snse4-tl9bise6»

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: tl4snse4-tl9bise6, евтектичного, системі, термоелектричний, композиту, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: tl4snse4-tl9bise6, системі, термоелектричний, композиту, евтектичного, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.