Сабов Мар’ян Юрійович

Номер патенту: 121133

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Когутич Антон Антонович, Філеп Михайло Йосипович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, H01L 35/00, H01L 35/16 ...

Мітки: покращення, тетраталію(і, термоелектричної, потужності, спосіб, полікристалічного, триселеностанату(іі)-тi4snse3

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної потужності полікристалічного тетраталію(І) триселеностанату(II)-Tl4SnSe3, який включає фазову модифікацію зразка тетраталію(І) триселеностанату(II), який відрізняється тим, що змінюють хімічний склад Tl4SnSe3 ізовалентним заміщенням атомів Стануму на Плюмбум, що підвищує термоелектричну потужність у 10¸35 разів, яку вимірюють на спеціально підготовлених зразках чотирикутної форми, при цьому...

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: H01L 35/16

Мітки: евтектики, середньотемпературний, термоелектрик, основі, tl5.63bi0.70se3.67

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C22F 1/16, H01L 35/16

Мітки: спосіб, обробки, сплаву, snse2)0.55(tlbise2)0.45, термічної, евтектичного

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Соломон Андрій Михайлович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...

Мітки: синтезу, твердофазного, бісмут, спосіб, перспективного, tlbise2, талій, диселеніду, термоелектрика, енергозберігаючого, ііі

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...

Мітки: сплаву, добротності, покращення, snse2)0.55(tlbise2)0.45, спосіб, термоелектричної, евтектичного

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Габорець Наталія Йосипівна, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01G 29/00, C01B 19/00 ...

Мітки: основі, середньотемпературний, ефективний, tl5.63bi0.70se3.67, термоелектрик, евтектики

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: твердого, складу, альтернативний, термоелектрик, основі, вихідного, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, матеріал, середньотемпературний, розчину

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: спосіб, системі, snse2-tlbise2, термоелектричної, підвищення, евтектичного, сплаву, ефективності

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, H01L 35/00 ...

Мітки: snse2-bi2se3, композиту, основі, системі, матеріал, евтектичного, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричний, tl4snse4-tl9bise6, композиту, основі, матеріал, системі, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович

МПК: C01G 19/00, C01G 17/00, C01G 15/00 ...

Мітки: спосіб, термоелектричного, одержання, матеріалу, монокристалів, tl4sns4, основі, талію(і, тетратіостанату

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, основі, розчину, матеріал, тl9вise6-tl4snse4, системі, твердого

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34, H01L 35/14 ...

Мітки: твердого, moнokpиctaлib, основі, розчину, вигляді, талію, cпociб, матеріалу, одержання, tpиtioctaнatу, tepmoeлektpичнoгo

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: системі, tl9bіsе6-tl4snse4, матеріал, розчину, термоелектричний, твердого, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/00

Мітки: евтектичного, композиту, tl4snse4-tl9bise6, системі, матеріал, основі, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: композиту, bi2se3, системі, snse2, основі, термоелектричний, евтектичного, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 15/00, C01G 1/12, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Глух Олег Станіславович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: тетратіостанату, термоелектричної, покращення, талій, спосіб, tl4sns4, добротності, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Глух Олег Станіславович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: спосіб, добротності, покращення, талій, tl2sns3, монокристалів, тритіостанату, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Номер патенту: 59973

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: елемент, формування, термоерс, підвищеної, твердотільний

Формула / Реферат:

Твердотільний елемент для формування підвищеної термоерс, який містить сформований циліндр або паралелепіпед, який розміщений в електроізолюючому корпусі, та електроди, що притиснуті до протилежних торців циліндра або паралелепіпеда, який відрізняється тим, що циліндр або паралелепіпед виконаний із тетратіоцирконату талію (Tl4ZrS4), а між протилежними торцями елемента створений високий градієнт температури від  90° К  до 140° К.

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C01G 23/00, C01G 15/00, C01B 17/20 ...

Мітки: тетрасульфіду, талію, одержання, тl4тіs4, спосіб, титану

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Переш Євген Юлійович, Севрюков Дмитро Володимирович, Соломон Андрій Михайлович, Сідей Василь Іванович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 17/20, C01G 23/00, C01G 1/12 ...

Мітки: титану, нової, модифікації, моносульфіду, синтезу, спосіб, поліморфної

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...