C01G 19/00 — Сполуки олова
Матеріал з підвищеною термоелектричною потужністю на основі твердого розчину системи tlbise2–tl4snse4
Номер патенту: 102198
Опубліковано: 26.10.2015
Автор: Козьма Антон Антонович
МПК: C01G 29/00, C01G 15/00, C01G 19/00, C01B 19/00 ...
Мітки: основі, термоелектричною, підвищеною, потужністю, розчину, матеріал, твердого, tlbise2–tl4snse4, системі
Формула / Реферат:
Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.
Спосіб синтезу нанодисперсного стануму (iv) оксиду
Номер патенту: 98761
Опубліковано: 12.05.2015
Автори: Астрелін Ігор Михайлович, Нагірняк Світлана Валеріївна, Донцова Тетяна Анатоліївна
МПК: C01G 19/00, B82B 1/00
Мітки: синтезу, спосіб, нанодисперсного, оксиду, стануму
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу нанодисперсного стануму (IV) оксиду, що включає нагрівання стануму (IV) оксиду в трубчатій печі, який відрізняється тим, що прекурсор стануму (IV) оксиду отримують змішуванням гарячих розчинів стануму (II) хлориду та перекристалізованої оксалатної кислоти, осадженням стануму (II) оксалату, відмиванням утвореного осаду від іонів Сl- дистильованою водою, висушуванням при температурі 105 °С протягом 120 хвилин, нагріванням...
Спосіб синтезу нанокомпозиту оксид стануму (iv) – багатошарові вуглецеві нанотрубки (бшвнт)
Номер патенту: 73357
Опубліковано: 25.09.2012
Автори: Кузьменко Владислав Владиславович, Донцова Тетяна Анатоліївна, Гамдзій Михайло Орестович, Нагірняк Світлана Валеріївна, Іваненко Ірина Миколаївна, Астрелін Ігор Михайлович
МПК: C01G 19/00
Мітки: стануму, нанотрубки, бшвнт, багатошарові, вуглецеві, оксид, синтезу, нанокомпозиту, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб синтезу нанокомпозиту оксид стануму (IV) - багатошарові вуглецеві нанотрубки, що включає одержання нанокомпозиту золь-гель методом шляхом змішування попередньо окиснених багатошарових вуглецевих нанотрубок з розчином SnCl2∙H2O за участі ультразвукового впливу, випарювання і термічної обробки протягом 1 години, який відрізняється тим, що для розчинення солі використовують ізопропіловий спирт, а термічну обробку проводять...
Спосіб одержання діоксиду олова високої чистоти електролізом змінним струмом
Номер патенту: 72239
Опубліковано: 10.08.2012
Автори: Козін Валентин Хомич, Литовченко Валентина Данилівна, Близнюк Антоніна Вікторівна
МПК: C01G 19/00
Мітки: чистоти, струмом, спосіб, високої, олова, діоксиду, електролізом, змінним, одержання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання діоксиду олова, що включає окиснення, який відрізняється тим, що окиснення проводять під дією змінного струму промислової чистоти при густині струму 1,0-3,0 А/см2 в інтервалі температур 50-95 °C в розчині гідроксиду натрію з концентрацією 0,5-10 моль/л.
Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи snse2-bi2se3
Номер патенту: 98368
Опубліковано: 10.05.2012
Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович
МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, H01L 35/00 ...
Мітки: термоелектричний, snse2-bi2se3, матеріал, евтектичного, композиту, системі, основі
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .
Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6
Номер патенту: 98367
Опубліковано: 10.05.2012
Автори: Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович
МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...
Мітки: евтектичного, матеріал, системі, основі, термоелектричний, tl4snse4-tl9bise6, композиту
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4
Номер патенту: 96629
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович
МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01G 17/00, H01L 35/00 ...
Мітки: тетратіостанату, матеріалу, талію(і, термоелектричного, спосіб, tl4sns4, основі, одержання, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 93009
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович
МПК: H01L 35/12, C01G 19/00, C01G 1/12, C01G 15/00 ...
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.
Металокерамічний біметалевий електричний контакт
Номер патенту: 49215
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Коханівський Сергій Павлович, Клименко Борис Володимирович, Коханівський Василь Олександрович, Коробський Володимир Вікторович, Радько Іван Петрович
МПК: C01G 19/00
Мітки: металокерамічний, електричний, контакт, біметалевий
Формула / Реферат:
Металокерамічний біметалевий електричний контакт, що складається з неробочого шару, який включає сплав міді 90-75 мас. % і нікелю 10-25 мас. % та робочого шару, що включає срібло, оксид олова, оксид вольфраму, який відрізняється тим, що робочий шар містить оксид вісмуту, хром при наступному співвідношенні, мас. %: оксид олова 9-12 оксид вісмуту 2-2,5 хром ...
Контактна пара для автоматичних вимикачів
Номер патенту: 49214
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Клименко Борис Володимирович, Коханівський Василь Олександрович, Радько Іван Петрович
МПК: C01G 19/00
Мітки: автоматичних, вимикачів, пара, контактна
Формула / Реферат:
Контактна пара для автоматичних вимикачів, яка виконана з композиційних матеріалів, включає рухомий контакт, що містить нікель, срібло, та нерухомий контакт, що містить оксид олова, оксид вольфраму, срібло, яка відрізняється тим, що матеріал нерухомого контакту містить хром та оксид вісмуту при наступних співвідношеннях інгредієнтів, мас. %: оксид олова 9-12 оксид вісмуту ...
Спечений матеріал для електричних контакт-деталей
Номер патенту: 47346
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Коханівський Василь Олександрович, Радько Іван Петрович, Власенко Юрій Петрович, Коханівський Сергій Павлович, Щербак Тарас Вячеславович
МПК: C01G 19/00
Мітки: спечений, контакт-деталей, електричних, матеріал
Формула / Реферат:
Спечений матеріал для електричних контакт-деталей на основі срібла, який відрізняється тим, що додатково містить наступні інгредієнти, мас. %: оксид олова 9 - 12 оксид вісмуту 2 - 2,5 оксид вольфраму 0,5 - 0,8 хром 4 - 5 срібло решта.
Спосіб визначення мікрокількостей стануму (іv)
Номер патенту: 50342
Опубліковано: 15.10.2002
Автор: Костенко Елізавета Евгенівна
МПК: C01G 19/00
Мітки: спосіб, мікрокількостей, стануму, визначення, іv
Формула / Реферат:
Спосіб визначення мікрокількостей стануму (IV) шляхом підготовки проби методом “мокрої” мінералізації, приготування мінералізату, фотометричного визначення стануму (ІV) в аліквотній частині розчину мінералізату за допомогою металохромного індикатора, який відрізняється тим, що для селективного фотометричного визначення стануму (IV) як металохромний індикатор використовують кислотний хром темно-синій К у водному середовищі при рН 7.