Переш Євген Юлійович

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Габорець Наталія Йосипівна, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: H01L 35/16

Мітки: tl5.63bi0.70se3.67, термоелектрик, евтектики, основі, середньотемпературний

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16, C22F 1/16

Мітки: евтектичного, обробки, snse2)0.55(tlbise2)0.45, термічної, спосіб, сплаву

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Соломон Андрій Михайлович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01B 19/00, C01G 15/00, C01G 29/00 ...

Мітки: перспективного, синтезу, енергозберігаючого, бісмут, спосіб, диселеніду, термоелектрика, ііі, талій, твердофазного, tlbise2

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: сплаву, покращення, snse2)0.55(tlbise2)0.45, спосіб, добротності, евтектичного, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 29/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: середньотемпературний, основі, термоелектрик, ефективний, tl5.63bi0.70se3.67, евтектики

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C21D 1/60, C01G 15/00 ...

Мітки: спосіб, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, основі, tl9bise6, матеріалу, термоелектричної, ефективності, підвищення, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16

Мітки: tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, твердого, середньотемпературний, альтернативний, складу, розчину, матеріал, вихідного, термоелектрик, основі

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: сплаву, ефективності, підвищення, snse2-tlbise2, термоелектричної, спосіб, евтектичного, системі

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16, C21D 1/60 ...

Мітки: нонаталій, ефективності, термоелектричної, підвищення, гексаселенобісмутиту, матеріалу, спосіб, основі, tl9bise6, сполуки

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, H01L 35/00 ...

Мітки: матеріал, системі, snse2-bi2se3, основі, композиту, евтектичного, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: системі, матеріал, tl4snse4-tl9bise6, термоелектричний, основі, евтектичного, композиту

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 96629

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: C01G 15/00, C01G 19/00, C01G 17/00 ...

Мітки: тетратіостанату, спосіб, основі, монокристалів, матеріалу, tl4sns4, термоелектричного, талію(і, одержання

Формула / Реферат:

Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/14

Мітки: розчину, матеріал, системі, твердого, тl9вise6-tl4snse4, термоелектричний, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 95645

Опубліковано: 25.08.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/34, H01L 35/16, H01L 35/14 ...

Мітки: одержання, cпociб, moнokpиctaлib, твердого, tepmoeлektpичнoгo, розчину, tpиtioctaнatу, талію, вигляді, основі, матеріалу

Формула / Реферат:

Спосіб одержання  термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: твердого, основі, матеріал, tl9bіsе6-tl4snse4, розчину, системі, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний, композиту, системі, основі, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: основі, термоелектричний, системі, bi2se3, евтектичного, матеріал, snse2, композиту

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 93009

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01G 19/00, C01G 15/00, C01G 1/12 ...

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Номер патенту: 50095

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна

МПК: H01L 35/00

Мітки: покращення, термоелектричної, tl4sns4, тетратіостанату, монокристалів, талій, спосіб, добротності

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.

Номер патенту: 43564

Опубліковано: 25.08.2009

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.

Номер патенту: 42908

Опубліковано: 27.07.2009

Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: tl2sns3, термоелектричної, монокристалів, добротності, покращення, спосіб, талій, тритіостанату

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.

Номер патенту: 70185

Опубліковано: 10.04.2007

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Севрюков Дмитро Володимирович

МПК: C01G 23/00, C01G 15/00, C01B 17/20 ...

Мітки: тетрасульфіду, тl4тіs4, талію, спосіб, одержання, титану

Формула / Реферат:

Спосіб одержання талію (І)-титану (ІV) тетрасульфіду (Тl4ТіS4), який включає ступінчастий нагрів вакуумованих до 0,13 Па кварцових ампул, що містять вихідні компоненти для синтезу у необхідному стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури і витримку при цій же температурі протягом 24 годин та подальший відпал при 650 К, який відрізняється тим, що як вихідні компоненти для синтезу використовують елементарні талій, титан і...

Номер патенту: 74445

Опубліковано: 15.12.2005

Автори: Сідей Василь Іванович, Севрюков Дмитро Володимирович, Переш Євген Юлійович, Соломон Андрій Михайлович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C01G 1/12, C01G 23/00, C01B 17/20 ...

Мітки: поліморфної, спосіб, нової, модифікації, титану, моносульфіду, синтезу

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу нової поліморфної модифікації моносульфіду титану, який включає нагрівання вакуумованих до тиску 0,13 Па кварцових ампул, що містять дрібнодисперсні елементарні компоненти сірки та титану у стехіометричному співвідношенні, до максимальної температури, який відрізняється тим, що нагрівання здійснюють у безперервному режимі, при цьому максимальна температура синтезу становить 1173±25 К, а охолодження здійснюють у режимі...