Козьма Антон Антонович

Номер патенту: 115562

Опубліковано: 27.11.2017

Автори: Козьма Антон Антонович, Габорець Наталія Йосипівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/16

Мітки: термоелектрик, основі, евтектики, tl5.63bi0.70se3.67, середньотемпературний

Формула / Реферат:

Середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється тим, що вихідні компоненти складають нонваріантний евтектичний композит Tl5.63Bi0.70Se3.67.

Номер патенту: 114114

Опубліковано: 25.04.2017

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16

Мітки: потужністю, твердого, tlbise2-tl4snse4, розчину, основі, системі, матеріал, підвищеною, термоелектричною

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій(І)монобісмут(III)диселенід - TlBiSe2, який відрізняється тим, що має у складі тетраталій(І)моностанум(IV)тетраселенід - Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005.

Номер патенту: 113556

Опубліковано: 10.02.2017

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: C22F 1/16, H01L 35/16

Мітки: snse2)0.55(tlbise2)0.45, сплаву, термічної, обробки, спосіб, евтектичного

Формула / Реферат:

Спосіб термічної обробки евтектичного сплаву (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді.

Номер патенту: 105409

Опубліковано: 25.03.2016

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович, Соломон Андрій Михайлович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 29/00 ...

Мітки: перспективного, tlbise2, спосіб, ііі, енергозберігаючого, термоелектрика, диселеніду, бісмут, талій, синтезу, твердофазного

Формула / Реферат:

Спосіб енергозберігаючого твердофазного синтезу перспективного термоелектрика талій (І) бісмут (III) диселеніду TlBiSe2, який відрізняється тим, що сполуку TlBiSe2 одержують у процесі твердофазної взаємодії порошкоподібних Tl2Se і Ві2Sе3 у мольному співвідношенні 1:1 протягом нетривалого часу при невисокій температурі.

Номер патенту: 102198

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: матеріал, потужністю, системі, розчину, tlbise2–tl4snse4, твердого, термоелектричною, підвищеною, основі

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.

Номер патенту: 101909

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Переш Євген Юлійович

МПК: C01B 19/00, C01G 29/00, C01G 15/00 ...

Мітки: сплаву, термоелектричної, покращення, добротності, snse2)0.55(tlbise2)0.45, евтектичного, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб покращення термоелектричної добротності евтектичного сплаву (SnSe2)0.55(TlBiSe2)0.45, який відрізняється тим, що синтезований зразок розплавляють у вакуумованій ампулі та загартовують у льодяній воді, а його термоелектрична добротність внаслідок цього зростає на 35 %.

Номер патенту: 101902

Опубліковано: 12.10.2015

Автори: Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Габорець Наталія Йосипівна, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенович

МПК: C01G 29/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: евтектики, ефективний, середньотемпературний, основі, tl5.63bi0.70se3.67, термоелектрик

Формула / Реферат:

Ефективний середньотемпературний термоелектрик, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6 і талій (І) диселенобісмутит TlBiSe2, який відрізняється, проміжним відносно вихідних компонентів складом Tl5.63Bi0.70Se3.67, що відповідає нонваріантному евтектичному перетворенню, а його максимальна термоелектрична добротність на 20 % вища та проявляється у вчетверо ширшому температурному інтервалі.

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C21D 1/60 ...

Мітки: tl9bise6, підвищення, спосіб, сполуки, матеріалу, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, основі, ефективності, термоелектричної

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 92529

Опубліковано: 26.08.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: матеріал, вихідного, розчину, термоелектрик, твердого, альтернативний, tl9bise6)0,97(tl4snse4)0,03, складу, середньотемпературний, основі

Формула / Реферат:

Матеріал на основі твердого розчину вихідного складу (Tl9BiSe6)0,97(Tl4SnSe4)0,03 як альтернативний середньотемпературний термоелектрик.

Номер патенту: 91278

Опубліковано: 25.06.2014

Автори: Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/16, C01B 19/00

Мітки: сплаву, ефективності, спосіб, snse2-tlbise2, термоелектричної, евтектичного, підвищення, системі

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності евтектичного сплаву системи SnSe2-TlBiSe2, який відрізняється тим, що використовують матеріал складу (SnSe2)0,55(TlBiSe2)0,45, який формують у вигляді пресованого полікристалічного брикету, при цьому його термоелектрична добротність зростає на 30 %.

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, H01L 35/16, C21D 1/60 ...

Мітки: термоелектричної, основі, сполуки, матеріалу, ефективності, гексаселенобісмутиту, підвищення, tl9bise6, спосіб, нонаталій

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, H01L 35/00 ...

Мітки: термоелектричний, евтектичного, композиту, матеріал, системі, основі, snse2-bi2se3

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: термоелектричний, матеріал, композиту, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, основі, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, тl9вise6-tl4snse4, основі, матеріал, системі, твердого, розчину

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: tl9bіsе6-tl4snse4, твердого, матеріал, основі, розчину, термоелектричний, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, tl4snse4-tl9bise6, композиту, евтектичного, системі, матеріал, основі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: матеріал, термоелектричний, snse2, евтектичного, основі, системі, bi2se3, композиту

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.