Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками. (19) (21) u201009082 (22) 19.07.2010 (24) 25.01.2011 (46) 25.01.2011, Бюл.№ 2, 2011 р. (72) КОЗЬМА АНТОН АНТОНОВИЧ, БАРЧІЙ ІГОР ЄВГЕНІЙОВИЧ, ПЕРЕШ ЄВГЕН ЮЛІЙОВИЧ, САБОВ МАР'ЯН ЮРІЙОВИЧ, БЕЦА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ЦИГИКА ВОЛОДИМИР ВАСИЛЬОВИЧ, ГАЛАГОВЕЦЬ ІВАН ВАСИЛЬОВИЧ 3 56825 кривій нагрівання одним чітким ендотермічним ефектом при 687 К. Зразки евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 одержували методом спрямованої кристалізації за Бріджменом із шихти з співвідношенням (мол. %) вихідних компонентів Tl9BiSe6 та Tl4SnSe4 3:17. Термоелектричні властивості досліджували методом Хармана в температурному інтервалі 300-600 К на полікристалічних зразках циліндричної форми (d=7-8 мм, l=10-12 мм). Таблиця Сполука/сплав Tl4SnSe4 Tl4SnSe4-Tl9BiSe6 Tl9BiSe6 αмакс, мкВ/град -97 (345 К) 235 (3 (540 К) 1625 (567 К) Максимальне значення коефіцієнту термоЕРС евтектичного композиту складало 2350 мкВ/К (Табл.) при 540 К, що значно перевищує аналогічні абсолютні показники для Tl9BiSe6 і Tl4SnSe4 (покращення складало 45 % порівняно з максимальним значенням прототипу) [1, 3]. 4 Застосування сплаву (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 в якості робочого елементу термоелектричних пристроїв забезпечує їх більшу ефективність як за фізико-технічними, так і економічними характеристиками. Корисна модель може бути викориcтана в енергетиці, в перетворювачах тепла та створенні додаткових джерел електрики на теплових електростанціях та підприємствах. Джерела інформації: 1. Wolfing В., Kloc С, Ramirez Д., Bucher Е. thermoelectric properties of the compounds Tl9-X-Q6 (X = antimony, bismuth; Q=selenium, tellurium) //18th International Conference on Thermoelectrics. Baltimore, MD, USA, 08-09/02/1999. - P. 546-549. ПРОТОТИП 2. Козьма А.А., Переш Є.Ю., Барчій І.Є., Цигика В.В. Фазові рівноваги на квазібінарних перерізах квазіпотрійної системи» Тl3Se-SnSe2-Bi2Se3 //Укр. хім. Журнал - 2010. - Т.76, № 4. - С. 80-84. 3. Малаховська Т.О., Глух О.С., Сабов М.Ю., Барчій І.Є., Переш Є.Ю. Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl4SnS4(Se4) та Tl2SnS3(Se3) //Укр. хім. журнал. - 2009. - Т.75, № 5. - С. 25-27. 5 Комп’ютерна верстка Г. Паяльніков 56825 6 Підписне Тираж 23 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601