Барчій Ігор Євгенійович

Номер патенту: 109002

Опубліковано: 10.07.2015

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C01G 15/00, C21D 1/60, C01B 19/00 ...

Мітки: сполуки, tl9bise6, термоелектричної, спосіб, матеріалу, ефективності, нонаталій(і)гексаселенобісмутиту, підвищення, основі

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій(І)гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 79434

Опубліковано: 25.04.2013

Автори: Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: C21D 1/60, H01L 35/16, C01B 19/00 ...

Мітки: термоелектричної, сполуки, підвищення, нонаталій, матеріалу, ефективності, гексаселенобісмутиту, основі, спосіб, tl9bise6

Формула / Реферат:

Спосіб підвищення термоелектричної ефективності матеріалу на основі сполуки нонаталій (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який включає термічну обробку, який відрізняється тим, що розплав Tl9BiSe6 піддають додатковій термічній обробці, а саме загартуванню у льодяній воді.

Номер патенту: 98368

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...

Мітки: матеріал, системі, композиту, snse2-bi2se3, термоелектричний, основі, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, з утворенням на їх основі евтектичного композиту (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 .

Номер патенту: 98367

Опубліковано: 10.05.2012

Автори: Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович

МПК: C01G 19/00, C01B 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: композиту, евтектичного, термоелектричний, основі, матеріал, системі, tl4snse4-tl9bise6

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.

Номер патенту: 96535

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: матеріал, тl9вise6-tl4snse4, системі, розчину, твердого, основі, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі сполуки нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, при цьому утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі від 320 до 600 К має вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 94673

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Беца Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Переш Євген Юлійович, Цигика Володимир Васильович

МПК: H01L 35/14

Мітки: матеріал, термоелектричний

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 59606

Опубліковано: 25.05.2011

Автори: Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/14

Мітки: системі, твердого, tl9bіsе6-tl4snse4, термоелектричний, основі, розчину, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі нонаталію (І) гексаселенобісмутиту Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат TlSnSe4, а утворений на їх основі твердий розчин Tl8,975Bi0,995Sn0,020Se5,990 у температурному інтервалі 320-600 К проявляє вище значення термоелектричної добротності порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56825

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: системі, tl4snse4-tl9bise6, композиту, матеріал, основі, термоелектричний, евтектичного

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 56815

Опубліковано: 25.01.2011

Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Переш Євген Юлійович

МПК: H01L 35/00

Мітки: композиту, основі, bi2se3, термоелектричний, snse2, евтектичного, матеріал, системі

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить станум (IV) селенід SnSe2, який відрізняється тим, що додатково містить бісмут (III) селенід Bi2Se3, а утворений на їх основі евтектичний композит (SnSe2)0,67(Bi2Se3)0,33 у температурному інтервалі 365-600 К проявляє вище значення коефіцієнта термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.

Номер патенту: 53638

Опубліковано: 11.10.2010

Автори: Козьма Антон Антонович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович

МПК: H01L 35/00

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.

Номер патенту: 91653

Опубліковано: 10.08.2010

Автори: Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Глух Олег Станіславович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 47226

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Глух Олег Станіславович, Барчій Ігор Євгенійович

МПК: H01L 35/12

Мітки: термоелектричний, матеріал

Формула / Реферат:

Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.

Номер патенту: 70133

Опубліковано: 25.12.2007

Автори: Черешня Володимир Михайлович, Переш Євгеній Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Габорець Наталія Йосипівна

МПК: C30B 9/00, C01G 15/00, C30B 11/00 ...

Мітки: талію(і)сульфотетраброміду, монокристалів, tl6sbr4, сполук, спосіб, tl6scl4, одержання, талію(і)сульфотетрахлориду

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...