Галаговець Іван Васильович
Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6
Номер патенту: 98367
Опубліковано: 10.05.2012
Автори: Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович
МПК: C01G 15/00, C01B 19/00, C01G 19/00 ...
Мітки: матеріал, термоелектричний, основі, системі, евтектичного, tl4snse4-tl9bise6, композиту
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4 з утворенням на їх основі евтектичного композиту (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15.
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(і) tl4sns4
Номер патенту: 96629
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Сабов Мар'ян Юрійович, Переш Євген Юлійович
МПК: C01G 15/00, C01G 17/00, C01G 19/00 ...
Мітки: основі, талію(і, tl4sns4, тетратіостанату, монокристалів, термоелектричного, спосіб, одержання, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу на основі монокристалів тетратіостанату талію(І) Tl4SnS4, що включає вирощування монокристалів, який відрізняється тим, що монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,670(Sn2S)0,330 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом.
Cпociб одержання tepmoeлektpичнoго матеріалу у вигляді твердого розчину на основі moнokpиctaлib tpиtioctaнatу taлiю (і)
Номер патенту: 95645
Опубліковано: 25.08.2011
Автори: Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Сабов Мар'ян Юрійович
МПК: H01L 35/34, H01L 35/16, H01L 35/14 ...
Мітки: одержання, твердого, tpиtioctaнatу, tepmoeлektpичнoгo, вигляді, основі, moнokpиctaлib, cпociб, розчину, талію, матеріалу
Формула / Реферат:
Спосіб одержання термоелектричного матеріалу у вигляді твердого розчину на основі монокристалів тритіостанату талію (І), який відрізняється тим, що вказані монокристали вирощують із шихти нестехіометричного складу (Tl2S)0,499(Sn2S)0,501 методом спрямованої кристалізації за Бріджменом-Стокбагером.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 94673
Опубліковано: 25.05.2011
Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Барчій Ігор Євгенійович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович
МПК: H01L 35/14
Мітки: термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить сполуку талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить сполуку станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К, порівняно з вихідними сполуками.
Термоелектричний матеріал на основі евтектичного композиту системи tl4snse4-tl9bise6
Номер патенту: 56825
Опубліковано: 25.01.2011
Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Козьма Антон Антонович
МПК: H01L 35/00
Мітки: системі, tl4snse4-tl9bise6, матеріал, термоелектричний, основі, евтектичного, композиту
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить нонаталій (І) гексаселенобісмутит Tl9BiSe6, який відрізняється тим, що додатково містить тетраталій (І) тетраселеностанумат Tl4SnSe4, а утворений на їх основі евтектичний композит (Tl4SnSe4)0,85(Tl9BiSe6)0,15 у температурному інтервалі 410-540 К проявляє вище значення коефіцієнту термо-ЕРС порівняно з вихідними сполуками.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 93009
Опубліковано: 27.12.2010
Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Переш Євген Юлійович
МПК: C01G 1/12, C01G 15/00, C01G 19/00 ...
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій і сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4SnS4 має максимальну термоелектричну добротність у температурному інтервалі 475-525 К.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 53638
Опубліковано: 11.10.2010
Автори: Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Козьма Антон Антонович, Галаговець Іван Васильович, Цигика Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Барчій Ігор Євгенійович
МПК: H01L 35/00
Мітки: термоелектричний, матеріал
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал, який містить талій (І) диселенобісмутат TlBiSe2, який відрізняється тим, що додатково містить станум (IV) селенід SnSe2, а утворений на їх основі евтектичний композит TlxBixSn1-xSe2 проявляє вищу термоелектричну добротність порівняно з вихідними сполуками при х=0,45 у температурному інтервалі 460-600 К.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 91653
Опубліковано: 10.08.2010
Автори: Барчій Ігор Євгенійович, Сабов Мар'ян Юрійович, Беца Володимир Васильович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Глух Олег Станіславович
МПК: H01L 35/12
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому склад монокристалічної сполуки Tl4GexSn1-xSe4 має максимальну термоелектричну добротність при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тетратіостанату tl4sns4
Номер патенту: 50095
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Галаговець Іван Васильович, Малаховська Тетяна Олександрівна
МПК: H01L 35/00
Мітки: термоелектричної, спосіб, tl4sns4, тетратіостанату, монокристалів, добротності, талій, покращення
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4, який включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал Tl4SnS4 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого талій (І) сульфідом Tl2S в межах області гомогенності.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 47226
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Глух Олег Станіславович, Беца Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович, Цигика Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович
МПК: H01L 35/12
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, яка містить у своєму хімічному складі талій, германій і селен, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу Тl4GехSn1-хSе4 проявляється при х=0,75 у температурному інтервалі 480-540 К.
Термоелектричний матеріал
Номер патенту: 43564
Опубліковано: 25.08.2009
Автори: Переш Євген Юлійович, Беца Володимир Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович
МПК: H01L 35/12
Мітки: матеріал, термоелектричний
Формула / Реферат:
Термоелектричний матеріал на основі монокристалічної сполуки, що містить у своєму хімічному складі Талій і Сульфур, який відрізняється тим, що монокристалічна сполука додатково містить Станум, при цьому вища термоелектрична добротність матеріалу талій (І) тетратіостанату Tl4SnS4 проявляється у температурному інтервалі 475-525 К.
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (і) тритіостанату tl2sns3
Номер патенту: 42908
Опубліковано: 27.07.2009
Автори: Беца Володимир Васильович, Переш Євген Юлійович, Малаховська Тетяна Олександрівна, Галаговець Іван Васильович, Сабов Мар'ян Юрійович
МПК: H01L 35/00
Мітки: талій, монокристалів, покращення, термоелектричної, тритіостанату, tl2sns3, спосіб, добротності
Формула / Реферат:
Спосіб покращення термоелектричної добротності монокристалів талій (І) тритіостанату Tl2SnS3, що включає використання як термоелектричного матеріалу твердих розчинів на їх основі, який відрізняється тим, що монокристал талій (І) тритіостанату Tl2SnS3 вирощують із шихти нестехіометричного складу, збагаченого SnS2 в межах області гомогенності.
Спосіб одержання монокристалів сполук талію(і)сульфотетрахлориду tl6scl4 і талію(і)сульфотетраброміду tl6sbr4
Номер патенту: 70133
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Переш Євгеній Юлійович, Габорець Наталія Йосипівна, Черешня Володимир Михайлович, Цигика Володимир Васильович, Галаговець Іван Васильович, Барчій Ігор Євгенійович
МПК: C30B 9/00, C30B 11/00, C01G 15/00 ...
Мітки: одержання, спосіб, сполук, монокристалів, талію(і)сульфотетраброміду, tl6sbr4, талію(і)сульфотетрахлориду, tl6scl4
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання монокристалу сполуки талію(І)сульфотетрахлориду Tl6SCl4, який включає вирощування монокристалу із розчину за методом Бріджмена, який відрізняється тим, що беруть вихідну шихту наступного складу (мол.%):Tl2S -29,00TlCl-71,00,при цьому для процесу вирощування монокристалу Tl6SCl4 встановлюють задану швидкість переміщення фронту кристалізації 0,1 - 0,3 мм/годину, температурний градієнт у зоні...
Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну
Номер патенту: 80148
Опубліковано: 27.08.2007
Автори: Галаговець Іван Васильович, Беца Володимир Васильович
МПК: H01L 35/00
Мітки: перетворювач, енергії, електричну, термоелектричний, теплової
Формула / Реферат:
Термоелектричний перетворювач теплової енергії в електричну, який містить циліндричний або прямокутний брусок із напівпровідникового матеріалу та електроди, що притиснуті до протилежних торців бруска, який відрізняється тим, що брусок виготовлено із метатіостаннату талію Tl2SnS3, який розміщений в електроізолюючому корпусі, а між притиснутими до протилежних торців бруска електродами встановлений градієнт температури 20-50 градусів, при цьому...