Арсєнтьєв Іван Нікітіч

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Міленін Віктор Володимирович, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Бєляєв Олександр Євгенійович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Веремійченко Георгій Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Васильйовна, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: індія, ганна, діод, фосфіду

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...