Бєляєв Олександр Євгенійович

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Конакова Раїса Васильйовна, Ковтонюк Віктор Михайлович, Кудрик Ярослав Ярославович, Веремійченко Георгій Микитович, Міленін Віктор Володимирович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Бєляєв Олександр Євгенійович, Іванов Володимир Миколайович

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, діод, фосфіду, індія

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...