Конакова Раїса Васильйовна

Номер патенту: 49990

Опубліковано: 25.05.2010

Автори: Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Кудрик Ярослав Ярославович, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Міленін Віктор Володимирович, Бєляєв Олександр Євгенійович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Васильйовна

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: діод, індія, фосфіду, ганна

Формула / Реферат:

Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...