Тарасов Ілья Сєргєєвіч
Діод ганна з фосфіду індія
Номер патенту: 49990
Опубліковано: 25.05.2010
Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітіч, Міленін Віктор Володимирович, Конакова Раїса Васильйовна, Тарасов Ілья Сєргєєвіч, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенійович, Веремійченко Георгій Микитович, Кудрик Ярослав Ярославович, Ковтонюк Віктор Михайлович
МПК: H01L 47/00, H01L 29/00
Мітки: фосфіду, індія, ганна, діод
Формула / Реферат:
Діод Ганна, що містить епітаксіальну структуру n++- n+- n, до якої зі сторін n++ та n виконані омічні контакти з контактуючими приєднувальними шарами, між якими сформовані антидифузійні шари з дибориду титану або дибориду цирконію, при цьому вся епітаксійна структура вісесеметрично розміщена і закріплена в діелектричному кільцевому корпусі, в якому до верхньої та нижньої площин виконана металізація, за допомогою якої та гнучкого плоского...