Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем (віс)

Формула / Реферат | Подібні патенти | МПК / Мітки | Додаткова інформація | Код посилання

Номер патенту: 64898

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Вівчарук Володимир Михайлович, Атаманюк Роман Богданович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович, Сорохтей Тарас Романович

Завантажити PDF файл.

Формула / Реферат

1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після виконання фотокопії по металу і полііміду проводять багатозарядну імплантацію іонів кисню О2++ або молекулярних іонів N2O++ з енергією 150-250 кеВ та дозою 140-650 мкКл/см2.

2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що після зняття масок із фоторезисту та полііміду проводять швидкий фотонний відпал при Т³650 °С протягом 1-5 с.

3. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що високоенергетичну багатозарядну імплантацію проводять багатозарядними іонами на всю товщину алюмінієвої плівки 0,25-0,45 мкм.

4. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що як маску для високоенергетичної імплантації використовують фоторезист та поліімідну композицію типу ПІД.

Додаткова інформація

Назва патенту англійською

Method for planarization of submicrone substructure matal layout of large-scale ic

Автори англійською

Novosiadlyi Stepan Petrovych, Vivcharuk Volodymyr Mykhailovych, Kindrat Taras Petrovych, Atamaniuk Roman Bohdanovych, Sorokhtei Taras Romanovych

Назва патенту російською

Способ планаризации металлической разводки субмикронных структур больших интегральных схем

Автори російською

Новосядлый Степан Петрович, Вивчарук Владимир Михайлович, Киндрат Тарас Петрович, Атаманюк Роман Богданович, Сорохтей Тарас Романович

МПК / Мітки

МПК: H01L 21/00

Мітки: інтегральних, планаризації, великих, субмікронних, металевої, структур, розводки, вісь, схем, спосіб

Код посилання

<a href="https://ua.patents.su/1-64898-sposib-planarizaci-metalevo-rozvodki-submikronnikh-struktur-velikikh-integralnikh-skhem-vis.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем (віс)</a>

Подібні патенти