Кіндрат Тарас Петрович
Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію
Номер патенту: 87386
Опубліковано: 10.02.2014
Автори: Новосядлий Степан Петрович, Мельник Любомир Васильович, Кіндрат Тарас Петрович, Варварук Василь Миколайович
МПК: B81C 1/00
Мітки: спосіб, плазмохімічного, полікремнію, травлення
Формула / Реферат:
1. Спосіб плазмохімічного травлення полікремнію, що включає технологічні операції формування фотокопії: хімічну обробку підкладок в парах гексаметилдисалазану, нанесення плівок фоторезисту, його сушку і експонування, проявлення експонованих областей, задублення плівки резисту плазмохімічного травлення, який відрізняється тим, що процес травлення проводиться в суміші газів, в склад якої входить: травильний газ SF6, галогеновмістимий газ, який...
Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних нвч – великих інтегральних схем
Номер патенту: 77223
Опубліковано: 11.02.2013
Автори: Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович
МПК: H01L 21/00
Мітки: субмікронних, великих, нвч, схем, гетероепітаксійних, інтегральних, спосіб, структур, формування, арсенідгалієвих
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...
Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках
Номер патенту: 68203
Опубліковано: 26.03.2012
Автори: Кіндрат Тарас Петрович, Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович
МПК: H01L 21/20
Мітки: формування, кремнієвих, шарів, спосіб, монокристалічних, арсенід-галієвих, підкладках, епітаксійних
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...
Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем (віс)
Номер патенту: 64898
Опубліковано: 25.11.2011
Автори: Атаманюк Роман Богданович, Вівчарук Володимир Михайлович, Сорохтей Тарас Романович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович
МПК: H01L 21/00
Мітки: субмікронних, схем, планаризації, вісь, спосіб, інтегральних, великих, металевої, розводки, структур
Формула / Реферат:
1. Спосіб планаризації металевої розводки субмікронних структур великих інтегральних схем, що включає розкриття контактних вікон в міжшаровій ізоляції, хімічну обробку контактів в перекисно-аміачній суміші або суміші Каро, формування металевої розводки верхнього рівня магнетронним розпиленням мішені із алюмінієвого сплаву алюміній-кремній-гольмій (АКГо-1-1), виконання фотокопії по металу і полііміду, який відрізняється тим, що після...