Сегнетоелектричний матеріал

Реферат: Винахід належить до матеріалознавства і може бути використаний в технології виготовлення робочих елементів сегнетоелектричних пристроїв. Сегнетоелектричний матеріал містить сульфід миш'яку та тіоіндат талію при певному співвідношенні інгредієнтів, мас. %. Технічним результатом винаходу є підвищення стабільності параметрів сегнетоелектричного матеріалу. UA 106518 C2 (12) UA 106518 C2 UA 106518 C2 5 10 15 20 25 30 35 40 Винахід належить до матеріалознавства і може бути використаний в технології виготовлення робочих елементів сегнетоелектричних пристроїв. Відомий сегнетоелектричний матеріал у вигляді кристалічного тіогіподифосфату олова Sn2P2S6 [1]. Цей матеріал достатньо стійкий до впливу зовнішнього середовища у порівнянні з сегнетовою сіллю. Недоліком тіогіподифосфату олова є недостатньо низька температура фазового переходу. Найбільш близьким по технічній суті є сегнетоелектричний матеріал, який містить тіогіподифосфат олова та склоподібний сульфід миш'яку [2]. Цей матеріал має більш низьку температуру фазового переходу у порівнянні з кристалічним тіогіподифосфатом олова. Недоліком описаного сегнетоелектричного матеріалу є недостатня стабільність параметрів при довготривалому застосуванню та зберіганню. Задачею винаходу є підвищення стабільності параметрів сегнетоелектричного матеріалу. Поставлена задача вирішується таким чином, що відомий сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, згідно з винаходом, як потрійний сульфід містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70 сульфід миш'яку решта. Запропонований сегнетоелектричний матеріал відноситься до ситалів, тобто склокристалічних матеріалів. Одержують його таким чином. Попередньо синтезовані сульфід миш'яку та тіоіндат талію у заданому співвідношенні розміщують в ампулу із плавленого кварцу, яку вакуумують та заварюють, після чого нагрівають із швидкістю 70-100 К/год. до температури 950-1000 °C, витримують 1-2 год. до гомогенізації розплаву після чого охолоджують. Сплави із вмістом тіоіндату талію менше 10 % по стабільності параметрів практичного не відрізняється від чистого сульфіду миш'яку. Вміст тіоіндату талію понад 70 % може спричинити появу в об'ємі зразка більш крупних кристалів, що погіршує відтворюваність параметрів матеріалу. Наявність в композиції на основі склоподібного сульфіду миш'яку тіоіндату талію підвищує часову стабільність матеріалу. Експериментально встановлено, що зберігання запропонованого сегнетоелектричного матеріалу при кімнатній температурі протягом трьох місяців не вплинуло в межах похибки вимірювання на значення діелектричної проникності. Через два місяці збігання матеріалу-прототипу спостерігалось незначне пониження (1,0-1,5 %) значення діелектричної проникності. Таким чином, запропонований сегнетоелектричний матеріал більш стабільний у порівнянні із матеріалом-прототипом. ДЖЕРЕЛА ІНФОРМАЦІЇ: 1. Ю.М. Височанський, В.Ю. Сливка. Сегнетоэлектрики семейства Sn 2P2S6. Свойства в окрестности точки Лифшица. Львов, 1994, 264 с. 2. Патент України на винахід № 94010, МПК Н01L41/18, опубл. 25.03.2011, бюл. № 6. ФОРМУЛА ВИНАХОДУ Сегнетоелектричний матеріал, який містить сульфід миш'яку та потрійний сульфід, який відрізняється тим, що як потрійний сульфід він містить тіоіндат талію при такому співвідношенні інгредієнтів, мас. %: тіоіндат талію 10-70 сульфід миш'яку решта. 45 Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська Державна служба інтелектуальної власності України, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601 1