H01L 21/383 — дифузія в тверду фазу з газової фази, або зворотна дифузія

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Полухін Олексій Степанович, Зуєва Тетяна Костянтинівна, Рачинський Любомир Ярославович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: приладу, спосіб, областями, кристалу, кремнієвого, виготовлення, відокремлюючими, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...