Копаєва Ольга Вікторівна

Номер патенту: 4383

Опубліковано: 17.01.2005

Автори: Макашов Валерій Федорович, Полухін Олексій Степанович, Тоцький Олександр Федорович, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна

МПК: H01L 25/04

Мітки: вузол, паяний, струмопровідний, контактний

Формула / Реферат:

1. Струмопровідний паяний контактний вузол силового напівпровідникового приладу, який містить металізований силовий верхній контакт напівпровідникового кристала, хоча б частково вкритий шаром м'якого припою, і термічно неузгоджений з кристалом силовий струмопровідний контактний вивід, переважно штампований, що припаяний до цього силового контакту, який відрізняється тим, що вивід містить не менш як три виступаючі частини, що спрямовані в бік...

Номер патенту: 67122

Опубліковано: 15.06.2004

Автори: Коляда Алевтина Іванівна, Губенко Лідія Іллівна, Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна, Коваленко Олена Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: виготовлення, структур, спосіб, діодів, полярності, прямої

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення структур діодів прямої полярності, який включає створення на катодній поверхні пластини n-кремнію локального маскувального покриття, формування зон металу-розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації наскрізних відокремлюючих областей по периметру структур, створення цих наскрізних відокремлюючих областей термоміграцією з одночасною дифузією алюмінію з пари, видалення маски і подальшу дифузію фосфору в...

Номер патенту: 1679

Опубліковано: 17.03.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Тоцький Олександр Федорович, Копаєва Ольга Вікторівна, Солодовнік Анатолій Іванович

МПК: H01L 25/00

Мітки: силовий, модуль, напівпровідниковий

Формула / Реферат:

1. Силовий напівпровідниковий модуль, який містить рамковий пластмасовий корпус переважно прямокутної форми з зовнішніми отворами для кріплення і профільним заглибленням по внутрішньому периметру нижнього торця, до опорної площини якого приклеєна і прилягає металізована з двох боків керамічна пластина з периферійною неметалізованою областю по її периметру, на верхньому боці якої змонтовані схемні компоненти, і яка залита всередині корпусу...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Копаєва Ольга Вікторівна, Солодовнік Анатолій Іванович, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Зуєва Тетяна Костянтинівна, Рачинський Любомир Ярославович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/383, H01L 21/22

Мітки: приладу, спосіб, відокремлюючими, областями, напівпровідникового, виготовлення, кремнієвого, кристалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...