Патенти з міткою «областями»

Спосіб оснащення листів еластизованими областями й лист, отриманий цим способом

Завантаження...

Номер патенту: 98693

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Ацума Хідекі, Акакі Кенічі

МПК: A61F 13/49, A61F 13/15, A61F 13/511 ...

Мітки: отриманий, способом, спосіб, цим, оснащення, областями, листів, лист, еластизованими

Формула / Реферат:

1. Спосіб оснащення листа на основі термопластичного полімеру для підгузка одноразового використання на відстані від зовнішньої крайки цього листа еластизованою областю, виконаною з можливістю розтягування й стягування в напрямку товщини листа, шляхом використання нерухомого й рухомого формувальних блоків, кожний з яких має формувальні лопаті, який відрізняється тим, щоформувальні лопаті розміщують таким чином, що проекції форм їхніх...

Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими р+ областями

Завантаження...

Номер патенту: 53903

Опубліковано: 17.02.2003

Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна

МПК: H01L 21/22

Мітки: областями, спосіб, виготовлення, приладів, кристалів, напівпровідникових, відокремлюючими, кремнієвих

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...

Спосіб виготовлення кристалу кремнієвого напівпровідникового приладу з відокремлюючими областями

Завантаження...

Номер патенту: 45871

Опубліковано: 15.04.2002

Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна, Рачинський Любомир Ярославович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/22, H01L 21/383

Мітки: спосіб, напівпровідникового, кристалу, приладу, відокремлюючими, кремнієвого, областями, виготовлення

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...

Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур з периферійними відокремлюючими областями

Завантаження...

Номер патенту: 41209

Опубліковано: 15.08.2001

Автори: Семенов Олег Сергійович, Полухін Олексій Степанович

МПК: H01L 21/208

Мітки: структур, відокремлюючими, епітаксіальних, областями, спосіб, периферійними, кремнієвих, виготовлення, матричних

Формула / Реферат:

1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...