Патенти з міткою «областями»
Спосіб оснащення листів еластизованими областями й лист, отриманий цим способом
Номер патенту: 98693
Опубліковано: 11.06.2012
Автори: Ацума Хідекі, Акакі Кенічі
МПК: A61F 13/49, A61F 13/15, A61F 13/511 ...
Мітки: отриманий, способом, спосіб, цим, оснащення, областями, листів, лист, еластизованими
Формула / Реферат:
1. Спосіб оснащення листа на основі термопластичного полімеру для підгузка одноразового використання на відстані від зовнішньої крайки цього листа еластизованою областю, виконаною з можливістю розтягування й стягування в напрямку товщини листа, шляхом використання нерухомого й рухомого формувальних блоків, кожний з яких має формувальні лопаті, який відрізняється тим, щоформувальні лопаті розміщують таким чином, що проекції форм їхніх...
Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими р+ областями
Номер патенту: 53903
Опубліковано: 17.02.2003
Автори: Полухін Олексій Степанович, Солодовнік Анатолій Іванович, Зуєва Тетяна Костянтинівна
МПК: H01L 21/22
Мітки: областями, спосіб, виготовлення, приладів, кристалів, напівпровідникових, відокремлюючими, кремнієвих
Формула / Реферат:
1.Спосіб виготовлення кристалів кремнієвих напівпровідникових приладів з відокремлюючими p+ областями, що включає створення в кремнієвій підкладці n-типу випрямних плоских р-n переходів дифузією, формування відокремлюючих p+ областей термоміграцією линійних зон на основі алюмінію, яка супроводжується дифузією алюмінію з пари в поверхню підкладки, створення інжектуючих р-n переходів, наступну однобічну пасивацію випрямних р-n переходів,...
Спосіб виготовлення кристалу кремнієвого напівпровідникового приладу з відокремлюючими областями
Номер патенту: 45871
Опубліковано: 15.04.2002
Автори: Зуєва Тетяна Костянтинівна, Тетерьвова Наталія Олексіївна, Солодовнік Анатолій Іванович, Копаєва Ольга Вікторівна, Рачинський Любомир Ярославович, Полухін Олексій Степанович
МПК: H01L 21/22, H01L 21/383
Мітки: спосіб, напівпровідникового, кристалу, приладу, відокремлюючими, кремнієвого, областями, виготовлення
Формула / Реферат:
1. Спосіб виготовлення кристала кремнієвого напівпровідникового приладу з периферійними відокремлюючими областями, який включає формування на плоскій поверхні підложки n-типу провідності маскувального покриття і зон металу – розчинника на основі алюмінію відповідно до конфігурації відокремлюючих областей, видалення маскувального покриття, занурення і термоміграцію зон крізь підложку у вакуумі, створення за допомогою дифузії і, в разі...
Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур з периферійними відокремлюючими областями
Номер патенту: 41209
Опубліковано: 15.08.2001
Автори: Семенов Олег Сергійович, Полухін Олексій Степанович
МПК: H01L 21/208
Мітки: структур, відокремлюючими, епітаксіальних, областями, спосіб, периферійними, кремнієвих, виготовлення, матричних
Формула / Реферат:
1.Спосіб виготовлення кремнієвих епітаксіальних матричних структур і периферійними відокремлюючими областями, який включає підготовку пластини-джерела і підкладки, утворення відокремлюючих р+областей, формування зони капілярним втягуванням металу-розчинника на основі алюмінію в щілину між пластиною-джерелом і підкладкою, перекристалізацію пластини-джерела зоною, що просувається в полі градієнта температури під час термоміграції, і...