Патенти з міткою «гетероепітаксійних»
Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних нвч – великих інтегральних схем
Номер патенту: 77223
Опубліковано: 11.02.2013
Автори: Мельник Любомир Васильович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Кіндрат Тарас Петрович
МПК: H01L 21/00
Мітки: субмікронних, великих, структур, схем, інтегральних, спосіб, нвч, арсенідгалієвих, гетероепітаксійних, формування
Формула / Реферат:
1. Спосіб формування арсенідгалієвих гетероепітаксійних структур для субмікронних НВЧ - великих інтегральних схем, який включає підготовку кремнієвих підкладок КЕФ 0,1 (111) з розорієнтацією поверхні 3-4°, їх хімічної обробки в травнику Каро для очистки поверхні, який відрізняється тим, що процес осадження n-шарів GaAs реалізують низькотемпературною плазмовою епітаксією (Т<400 °C) в реакторі надвисоких частот (2,45 ГГц)...
Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук
Номер патенту: 38627
Опубліковано: 12.01.2009
Автори: Стогній Дмитро Васильович, Буряченко Володимир Іванович, Хлопенова Ірина Анатоліївна, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/02, C30B 19/00, C30B 29/00 ...
Мітки: спосіб, сполук, отримання, шарів, гетероепітаксійних, напівпровідникових
Формула / Реферат:
Спосіб отримання гетероепітаксійних шарів напівпровідникових сполук, що включає формування мезаструктур на підкладці фотолітографією, травленням та гетероепітаксійне вирощування, який відрізняється тим, що мезаструктурам надають призматичної або пірамідальної форми, а гетероепітаксійне вирощування шару з відмінним значенням постійної ґратки виконують в один етап.
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 9615
Опубліковано: 17.10.2005
Автори: Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович, Курак Владислав Володимирович, Марончук Ігор Євгенович
МПК: H01L 021/208, C30B 29/40, C30B 19/00 ...
Мітки: спосіб, гомо, фазі, рідкої, одержання, шарів, гетероепітаксійних
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гомо- та гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем при умові одержання суцільних епітаксійних шарів, приведення розчину-розплаву в контакт з робочою поверхнею підкладки, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більш ніж...
Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази
Номер патенту: 62235
Опубліковано: 15.12.2003
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Андронова Олена Валеріївна, Баганов Євген Олександрович
МПК: C30B 19/00, C30B 29/40, H01L 21/208 ...
Мітки: одержання, фазі, рідкої, шарів, спосіб, гетероепітаксійних
Формула / Реферат:
Спосіб одержання гетероепітаксійних шарів з рідкої фази, що включає нагрівання розчину-розплаву до температури насичення, приведення його в контакт з робочою поверхнею підкладки, приведення поверхні підкладки, протилежної робочій, у контакт із теплопоглиначем за умови одержання суцільних епітаксійних шарів, проведення кристалізації до досягнення різниці температур між теплопоглиначем і розчином-розплавом не більше, ніж 0,25°С, переведення...