Крилюк Сергій Георгійович
Спосіб виготовлення детектора g- та х-випромінювання на основі високоомних напівпровідників сdte та cdznte
Номер патенту: 46513
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Бобицький Ярослав Васильович, Крюченко Юрій Володимирович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Крилюк Сергій Георгійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Будзуляк Сергій Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна
МПК: H01L 21/04
Мітки: детектора, напівпровідників, х-випромінювання, високоомних, основі, сdte, cdznte, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv Eg і густиною...