Патенти з міткою «сdte»
Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі сdte
Номер патенту: 28885
Опубліковано: 25.12.2007
Автори: Сукач Андрій Васильович, Тетьоркін Володимир Володимирович, Маслов Володимир Петрович, Ворощенко Андрій Тарасович
МПК: H01L 21/04, H01L 31/00, H01L 33/00 ...
Мітки: сdte, основі, спосіб, фотоприймачів, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотоприймачів на основі CdTe, що базується на термічному випаровуванні вихідної речовини - телуриду кадмію у вакуумному квазізамкненому об'ємі при температурах 480-550 °С та конденсації з парової фази шару на діелектричній підкладці при температурах 380-450 °С, який відрізняється тим, що джерело випаровування і підкладку розташовували на малій (0,5-3,0 мм) відстані одне над одним, використовуючи для цього...
Спосіб виготовлення детектора g- та х-випромінювання на основі високоомних напівпровідників сdte та cdznte
Номер патенту: 46513
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Вахняк Надія Дмитрівна, Бобицький Ярослав Васильович, Крилюк Сергій Георгійович, Демчина Любомир Андрійович, Будзуляк Сергій Іванович, Крюченко Юрій Володимирович
МПК: H01L 21/04
Мітки: високоомних, основі, cdznte, виготовлення, детектора, сdte, напівпровідників, спосіб, х-випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv Eg і густиною...