Крюченко Юрій Володимирович
Спосіб виготовлення детектора g- та х-випромінювання на основі високоомних напівпровідників сdte та cdznte
Номер патенту: 46513
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Крюченко Юрій Володимирович, Будзуляк Сергій Іванович, Бобицький Ярослав Васильович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Крилюк Сергій Георгійович, Демчина Любомир Андрійович
МПК: H01L 21/04
Мітки: х-випромінювання, cdznte, високоомних, основі, сdte, детектора, спосіб, напівпровідників, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv Eg і густиною...