Лисецька Олена Костянтинівна
Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром
Номер патенту: 26697
Опубліковано: 12.11.1999
Автори: Носачов Борис Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович
МПК: C30B 33/00, C30B 29/48
Мітки: спосіб, телуром, сировини, термообробки, цинку, одержання, кристалів, активованій, селеніду
Текст:
...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...
Спосіб одержання кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16678
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Лисецька Олена Костянтинівна, Носачев Борис Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович
МПК: C30B 29/48, C30B 11/02
Мітки: спосіб, цинку, селеніду, кристалів, одержання
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную направленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кислотой, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...
Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку
Номер патенту: 16735
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович
МПК: C30B 29/48, C30B 33/02
Мітки: обробки, кристалічних, спосіб, цинку, селеніду, основі, елементів
Формула / Реферат:
Способ обработки кристаллических элементов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности элементов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке водорода в течение 3-10 ч для элементов с исходным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослабления л < 0.7 см' и с добавлением в...