Лисецька Олена Костянтинівна

Спосіб термообробки сировини для одержання кристалів селеніду цинку, що активований телуром

Завантаження...

Номер патенту: 26697

Опубліковано: 12.11.1999

Автори: Носачов Борис Григорович, Гальчинецький Леонід Павлович, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Галкін Сергій Миколайович

МПК: C30B 33/00, C30B 29/48

Мітки: спосіб, телуром, сировини, термообробки, цинку, одержання, кристалів, активованій, селеніду

Текст:

...селен в количестве 1-4 мас.%. Согласно исследованиям, при нагреве шихты основным устойчивым продуктом в широком интервале температур (до 1000°С и выше) является оксид цинка. Пленка ZnO, не являясь принципиальным препятствием, вследствие рыхлости своей структуры, однако, сильно тормозит процесс образования твердого раствора ZnSe1x(Tex). Добавление элементарного металлического селена в смесь порошков ZnSe и ZnTe существенно влияет на...

Спосіб одержання кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Лисецька Олена Костянтинівна, Носачев Борис Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: спосіб, цинку, селеніду, кристалів, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/02

Мітки: обробки, кристалічних, спосіб, цинку, селеніду, основі, елементів

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...