Бороденко Юрій Афанасійович

Спосіб одержання кристалів селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16678

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Носачев Борис Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: цинку, одержання, селеніду, кристалів, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную на­правленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кисло­той, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...

Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку

Завантаження...

Номер патенту: 16735

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 33/02, C30B 29/48

Мітки: основі, обробки, спосіб, кристалічних, цинку, елементів, селеніду

Формула / Реферат:

Способ обработки кристаллических элемен­тов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности эле­ментов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке во­дорода в течение 3-10 ч для элементов с исход­ным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослаб­ления л < 0.7 см' и с добавлением в...

Комбінований детектор іонізуючих випромінювань

Завантаження...

Номер патенту: 15083

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Селегенев Євген Михайлович, Квітницька Валентина Захарівна, Рижиков Володимир Діомидович, Говорова Ріма Олександрівна

МПК: G01T 1/20, G01T 1/202

Мітки: комбінований, випромінювань, іонізуючих, детектор

Формула / Реферат:

Комбинированный детектор ионизирующих излучений, состоящий из сцинтилляторов и фотоприемника, отличающийся тем, что сцинтилляторы на основе монокристаллов  выполнены в виде чередующихся пластин, установленных перпендикулярно к фотоприемнику, между которыми расположены световоды из высокопрозрачного полимерного материала, при этом общая площадь сцинтилляторов и световодов равна рабочей площади фотоприемника, все элементы оптически связаны...

Комбінований сцинтиляційний детектор

Завантаження...

Номер патенту: 10522

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Коневський Віктор Семенович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Новікова Інна Гаврилівна, Видай Юрій Трохимович, Загарій Людмила Борисівна, Рижиков Володимир Діомидович, Жуков Олександр Григорович

МПК: G01T 1/20

Мітки: сцинтиляційний, комбінований, детектор

Формула / Реферат:

Комбинированный сцинтиляционный детек­тор, состоящий из помещенных в корпус с боковым отражателем сцинтилляторов BGO и CsI(Te) со­члененных между собой посредством несцинтиллирующего прозрачного для света сцинтилляций материала, отличающийся тем, что в качестве несцинтиллирующего материала использована лей-косапфировая пластина, имеющая жесткий оптический контакт с BGO и толщиной не менее длины свободного пробега b-частиц фонового из­лучения...

Сцинтиляційний детектор

Завантаження...

Номер патенту: 10560

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Квітницька Валентина Захарівна, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Говорова Ріма Олександрівна

МПК: G01T 1/20, G01T 1/00

Мітки: детектор, сцинтиляційний

Формула / Реферат:

1. Сцинтнлляционный детектор, содержа­щий фотоприемник, сцинтиллятор, отражатель и световод, отличающийся тем, что световод, распо­ложенный между сцинтиллятором и отражателем, выполнен в виде прозрачного для света радиолю­минесценции и прилегающего к поверхности сцинтиллятора слоя, толщина которого выбрана из соотношениягде t - толщина слоя, ммrc - радиус сцинтиллятора, ммrф - радиус рабочей части фотоприемиика,...

Спосіб виготовлення сцинтиляторів із монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 10565

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бондар Валерій Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович

МПК: C30B 33/00

Мітки: виготовлення, вольфрамату, спосіб, кадмію, сцинтиляторів, монокристалів

Формула / Реферат:

Способ изготовления сцинтилляторов из мо­нокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллогра­фической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.

Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 10603

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: сцинтиляційних, спосіб, вирощування, вольфрамату, монокристалів, кадмію

Формула / Реферат:

Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, вы­ращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что вы­ращивание ведут вдоль кристаллографического на­правления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...

Спосіб термообробки кристалів вольфрамату кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 10831

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Пирогов Євген Миколайович

МПК: C30B 33/00

Мітки: вольфрамату, термообробки, кристалів, кадмію, спосіб

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов вольфра­мата кадмия, включающий нагрев, выдержку и ох­лаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до тем­пературы 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.

Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діамидович

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: кристалів, спосіб, термообробки, вісмуту, германату

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Спосіб нерознімного з’єднування монокристалів оксидів

Завантаження...

Номер патенту: 5752

Опубліковано: 29.12.1994

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Каневський Віктор Семенович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович

МПК: C30B 33/06, C30B 29/22

Мітки: спосіб, нерознімного, монокристалів, оксидів, з'єднування

Формула / Реферат:

(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...

Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту

Завантаження...

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кухтіна Ніна Миколаївна

МПК: C30B 29/32, C30B 33/02

Мітки: термообробки, спосіб, вісмуту, германату, кристалів

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...