Бороденко Юрій Афанасійович
Спосіб одержання кристалів селеніду цинку
Номер патенту: 16678
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Носачев Борис Григорович, Бороденко Юрій Афанасійович, Лисецька Олена Костянтинівна
МПК: C30B 29/48, C30B 11/02
Мітки: цинку, одержання, селеніду, кристалів, спосіб
Формула / Реферат:
Способ получения кристаллов селенида цинка, включающий плавление исходного материала с добавкой, его кристаллизацию и повторную направленную кристаллизацию при избыточном давлении инертного газа, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических характеристик за счет снижения примесей металлов и углерода в кристалле, в качестве добавки берут мелкодиспер-сный уголь, предварительно обработанный кислотой, в количестве 0,3-0,5 мас.%, а...
Спосіб обробки кристалічних елементів на основі селеніду цинку
Номер патенту: 16735
Опубліковано: 29.08.1997
Автори: Лисецька Олена Костянтинівна, Рижиков Володимир Діомидович, Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна
МПК: C30B 33/02, C30B 29/48
Мітки: основі, обробки, спосіб, кристалічних, цинку, елементів, селеніду
Формула / Реферат:
Способ обработки кристаллических элементов на основе СБленида цинка путем их выдержки при нагреве в газовой атмосфере, отличающийся тем, что, с целью увеличения прозрачности элементов, обработку ведут при 1000- 1080°С в среде порошкообразного селенида цинка в протоке водорода в течение 3-10 ч для элементов с исходным коэффициентом оптического поглощения 1)<10~ см' или исходным коэффициентом ослабления л < 0.7 см' и с добавлением в...
Комбінований детектор іонізуючих випромінювань
Номер патенту: 15083
Опубліковано: 30.06.1997
Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Селегенев Євген Михайлович, Квітницька Валентина Захарівна, Рижиков Володимир Діомидович, Говорова Ріма Олександрівна
МПК: G01T 1/20, G01T 1/202
Мітки: комбінований, випромінювань, іонізуючих, детектор
Формула / Реферат:
Комбинированный детектор ионизирующих излучений, состоящий из сцинтилляторов и фотоприемника, отличающийся тем, что сцинтилляторы на основе монокристаллов выполнены в виде чередующихся пластин, установленных перпендикулярно к фотоприемнику, между которыми расположены световоды из высокопрозрачного полимерного материала, при этом общая площадь сцинтилляторов и световодов равна рабочей площади фотоприемника, все элементы оптически связаны...
Комбінований сцинтиляційний детектор
Номер патенту: 10522
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Коневський Віктор Семенович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Новікова Інна Гаврилівна, Видай Юрій Трохимович, Загарій Людмила Борисівна, Рижиков Володимир Діомидович, Жуков Олександр Григорович
МПК: G01T 1/20
Мітки: сцинтиляційний, комбінований, детектор
Формула / Реферат:
Комбинированный сцинтиляционный детектор, состоящий из помещенных в корпус с боковым отражателем сцинтилляторов BGO и CsI(Te) сочлененных между собой посредством несцинтиллирующего прозрачного для света сцинтилляций материала, отличающийся тем, что в качестве несцинтиллирующего материала использована лей-косапфировая пластина, имеющая жесткий оптический контакт с BGO и толщиной не менее длины свободного пробега b-частиц фонового излучения...
Сцинтиляційний детектор
Номер патенту: 10560
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Рижиков Володимир Діомидович, Квітницька Валентина Захарівна, Пирогов Євген Миколайович, Бурачас Станіслав Феліксович, Говорова Ріма Олександрівна
Мітки: детектор, сцинтиляційний
Формула / Реферат:
1. Сцинтнлляционный детектор, содержащий фотоприемник, сцинтиллятор, отражатель и световод, отличающийся тем, что световод, расположенный между сцинтиллятором и отражателем, выполнен в виде прозрачного для света радиолюминесценции и прилегающего к поверхности сцинтиллятора слоя, толщина которого выбрана из соотношениягде t - толщина слоя, ммrc - радиус сцинтиллятора, ммrф - радиус рабочей части фотоприемиика,...
Спосіб виготовлення сцинтиляторів із монокристалів вольфрамату кадмію
Номер патенту: 10565
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Пирогов Євген Миколайович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бондар Валерій Григорович, Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Бурачас Станіслав Феліксович
МПК: C30B 33/00
Мітки: виготовлення, вольфрамату, спосіб, кадмію, сцинтиляторів, монокристалів
Формула / Реферат:
Способ изготовления сцинтилляторов из монокристаллов вольфрамата кадмия, включающий ориентирование, резку, шлифовку и полировку монокристаллов, отличающийся тем, что грань сцинтиллятора, обращенную к фотоприемнику, изготавливают ориентированной по кристаллографической плоскости (Т01), или (010), или (001) при разориентации не более 5 градусов.
Спосіб вирощування сцинтиляційних монокристалів вольфрамату кадмію
Номер патенту: 10603
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Катрунов Костянтин Олексійович, Рижиков Володимир Діомидович, Мартинов Валерій Павлович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Пирогов Євген Миколайович
МПК: C30B 33/00
Мітки: сцинтиляційних, спосіб, вирощування, вольфрамату, монокристалів, кадмію
Формула / Реферат:
Способ выращивания сцинтилляционных монокристаллов вольфрамата кадмия, вклгочающий затравленно на ориентированный затравочный кристалл, разращивание верхнего конуса, выращивание при постоянном диаметре, отрыв кристалла от расплава, отличающийся тем, что выращивание ведут вдоль кристаллографического направления [101] с отклонением не более 5°, перед разращиванием кристалл уменьшают в диаметре на 10-30%, а угол разращивания устанавливают в...
Спосіб термообробки кристалів вольфрамату кадмію
Номер патенту: 10831
Опубліковано: 25.12.1996
Автори: Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Рижиков Володимир Діомидович, Катрунов Костянтин Олексійович, Пирогов Євген Миколайович
МПК: C30B 33/00
Мітки: вольфрамату, термообробки, кристалів, кадмію, спосіб
Формула / Реферат:
Способ термообработки кристаллов вольфрамата кадмия, включающий нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что нагрев проводят в кислородсодержащей атмосфере до температуры 950-1230°С при выдержке 25-75 часов.
Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту
Номер патенту: 9942
Опубліковано: 30.09.1996
Автори: Кухтіна Ніна Миколаївна, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діамидович
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Мітки: кристалів, спосіб, термообробки, вісмуту, германату
Текст:
...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...
Спосіб нерознімного з’єднування монокристалів оксидів
Номер патенту: 5752
Опубліковано: 29.12.1994
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Кривоносов Євген Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Каневський Віктор Семенович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бороденко Юрій Афанасійович
МПК: C30B 33/06, C30B 29/22
Мітки: спосіб, нерознімного, монокристалів, оксидів, з'єднування
Формула / Реферат:
(57) 1. Способ неразъемного соединения монокристаллов оксидов, включающий приведение их в контакт при наличии промежуточной прослойки между ними, нагрев, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что в качестве прослойки используют прокладку из монокристаллов лейкосапфира, контакт осуществляют с усилием 0,35-0,45 кг/см2, нагрев ведут до температуры на 5-10°С ниже температуры плавления германата висмута со скоростью 350-400°С/час, выдержку...
Спосіб термообробки кристалів германату вісмуту
Номер патенту: 5190
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кухтіна Ніна Миколаївна
МПК: C30B 29/32, C30B 33/02
Мітки: термообробки, спосіб, вісмуту, германату, кристалів
Формула / Реферат:
Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...