Литвиненко Віктор Миколайович
Спосіб виготовлення структур імпульсного діода
Номер патенту: 118793
Опубліковано: 28.08.2017
Автор: Литвиненко Віктор Миколайович
МПК: H01L 21/02, H01L 21/761, H01L 21/00 ...
Мітки: діода, виготовлення, спосіб, структур, імпульсного
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур імпульсного діода, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, дифузію бору в дві стадії з твердого джерела В2О3 для одержання р-n-переходу, витримку пластини у розчині на основі золотохлористоводневої кислоти, дифузію золота, термообробку діодних структур, який відрізняється тим, що перед термічним окисленням...
Спосіб прискорення формування фацій
Номер патенту: 118053
Опубліковано: 25.07.2017
Автори: Литвиненко Віктор Миколайович, Гавриш Олександра Віталіївна, Новіков Всеволод Олександрович
МПК: G01N 33/48, G01N 1/28, G01N 21/00 ...
Мітки: спосіб, формування, прискорення, фацій
Формула / Реферат:
Спосіб прискорення формування фацій, що включає нанесення проби на основу, висушування і мікроскопічне дослідження, який відрізняється тим, що як основу використовують активну кремнієву пластину.
Спосіб виготовлення структур варикапу зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі
Номер патенту: 113351
Опубліковано: 25.01.2017
Автор: Литвиненко Віктор Миколайович
МПК: H01L 21/00
Мітки: спосіб, домішки, концентрації, виготовлення, структур, градієнтом, варикапу, зворотним, базі
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур варикапу зі зворотним градієнтом концентрації домішки в базі, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, хімічне окислення пластин, іонне легування фосфором, термообробку пластин, розгонку фосфору для формування зворотного градієнта концентрації, фотолітографію по шару фосфоросилікатного скла, дифузію бору для...
Спосіб виготовлення діода шотткі з охоронним кільцем
Номер патенту: 111697
Опубліковано: 25.11.2016
Автор: Литвиненко Віктор Миколайович
МПК: H01L 29/47
Мітки: діода, охоронним, спосіб, кільцем, виготовлення, шотткі
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, проведення дифузії бору в дві стадії для одержання р-n переходу області охоронного кільця, утворення випрямляючих контактів з бар'єром Шотткі, який відрізняється тим, що після термічного окислення на зворотній стороні пластини формують гетеруючий шар...
Спосіб створення просвітлюючих покриттів на поверхні оптичних деталей з використанням іто
Номер патенту: 70310
Опубліковано: 11.06.2012
Автори: Литвиненко Віктор Миколайович, Щербина Антон Павлович, Самойлов Микола Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Марончук Олександр Ігоревич
МПК: C03C 21/00
Мітки: деталей, просвітлюючих, поверхні, іто, використанням, оптичних, створення, спосіб, покриттів
Формула / Реферат:
Спосіб створення просвітлюючих покриттів на поверхні оптичних деталей з використанням ІТО, що включає пульверизацію на повітрі суміші розчинів хлоридів металів SnCl4 и ІnСl3 на нагріті скляні основи, з наступним відпалом, який відрізняється тим, що для пульверизації використовують розчини хлоридів металів SnCl4 та ІnСl3 наступного складу, мас. %: розчин ІnСl3 розчин SnCl4 С2Н5ОН ...
Спосіб виготовлення структур діода з бар’єром шотткі
Номер патенту: 55798
Опубліковано: 15.04.2003
Автори: Литвиненко Сергій Вікторович, Литвиненко Віктор Миколайович
МПК: H01L 29/40
Мітки: виготовлення, спосіб, структур, бар'єром, шотткі, діода
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення структур діода з бар'єром Шотткі, що включає осадження нітриду і двооксиду кремнію на кремнієві пластини, фотолітографію, травлення меза-структур і їх термічне окислення, видалення нітриду кремнію з контактних майданчиків і формування на них випрямляючих контактів, який відрізняється тим, що перед видаленням нітриду кремнію проводять дифузію бору в робочу сторону пластин при Т = 950 -1050°С протягом 20-30 хвилин в...
Спосіб очищення кварцової оснастки, використовуваної при дифузії бору
Номер патенту: 52390
Опубліковано: 16.12.2002
Автори: Литвиненко Сергій Вікторович, Литвиненко Віктор Миколайович
МПК: B08B 3/08, C01B 35/00
Мітки: бору, кварцової, використовуваної, очищення, дифузії, оснастки, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб очищення кварцової оснастки, використовуваної при дифузії бору, що включає хімічну очистку оснастки в концентрованій плавиковій кислоті і наступне промивання у воді, який відрізняється тим, що перед хімічною очисткою оснастку обробляють водяною парою при Т =700-800°С протягом 15-30 хвилин.
Пристрій для об’єднання та роз’єднання цифрових каналів
Номер патенту: 5342
Опубліковано: 28.12.1994
Автори: Литвиненко Віктор Миколайович, Рахман Арон Мусійович, Абугов Гелій Петрович
МПК: H04B 1/54
Мітки: пристрій, роз'єднання, об'єднання, цифрових, каналів
Формула / Реферат:
Устройство для разъединения и объединения цифровых каналов, содержащее первый транзистор, эмиттер которого соединен с первым выводом первого резистора, база первого транзистора соединена с первым выводом первого конденсатора, второй резистор, третий резистор, первый вывод которого соединен с входной шиной цифрового потока, второй транзистор, база которого соединена с первым выводом четвертого резистора, эмиттер второго транзистора соединен...