H01L 29/47 — електроди з бар’єром Шотки
Спосіб виготовлення контактів з бар’єром шотткі до gaas
Номер патенту: 119116
Опубліковано: 11.09.2017
Автори: Дмитрієв Вадим Сергійович, Дмитрієва Любов Борисівна
МПК: H01L 29/47
Мітки: контактів, шотткі, спосіб, виготовлення, бар'єром
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі Ag/n-GaAs, що включає знежирення пластини GaAs, хімічне полірування, напилення на підкладку срібла крізь спеціальні молібденові маски методом вакуумного випаровування, який відрізняється тим, що пластини n-GaAs з nе.ш.=1015…1017 см-3 після хімічного полірування послідовно промивають в гарячій і холодній дистильованій і деіонізованій воді, витримують у діоксиянтарній кислоті, промивають в...
Спосіб виготовлення діода шотткі з охоронним кільцем
Номер патенту: 111697
Опубліковано: 25.11.2016
Автор: Литвиненко Віктор Миколайович
МПК: H01L 29/47
Мітки: виготовлення, діода, спосіб, кільцем, шотткі, охоронним
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення діода Шотткі з охоронним кільцем, що включає термічне окислення кремнієвої пластини n-типу провідності, відкриття контактних вікон в шарі окислу за допомогою фотолітографії, проведення дифузії бору в дві стадії для одержання р-n переходу області охоронного кільця, утворення випрямляючих контактів з бар'єром Шотткі, який відрізняється тим, що після термічного окислення на зворотній стороні пластини формують гетеруючий шар...
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Конакова Раїса Василівна, Насиров Махсуд Уалієвич, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна
МПК: H01L 29/47
Мітки: з'єднань, контактів, а3в5, напівпровідникових, виготовлення, типу, бар'єрних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...
Спосіб виготовлення контактів з бар’єром шотткі на арсеніді галію
Номер патенту: 95094
Опубліковано: 10.12.2014
Автори: Дмитрієва Любов Борисівна, Дмитрієв Вадим Сергійович
МПК: H01L 29/47
Мітки: бар'єром, спосіб, контактів, шотткі, галію, виготовлення, арсеніді
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення контакту з бар'єром Шотткі на арсеніді галію GaAs, що включає отримання методом вакуумного випаровування випрямляючих контактів з Ag до епітаксійного n-GaAs з високолегованою підкладкою, який відрізняється тим, що пластину GaAs заздалегідь послідовно знежирюють в суміші толуолу і метилового спирту (1:2), хімічно полірують в суміші 3H2SO4-1H2O2-1H2O, витримують у винній кислоті продовж 15-25 хв., промивають в етиловому...