Фотоприймач
Номер патенту: 19922
Опубліковано: 15.01.2007
Автори: Вікулін Іван Михайлович, Никифоров Станислав Миколайович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович
Формула / Реферат
Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-p-n структуру, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього.
Текст
Фотоприймач, що містить чотиришарову p-n-pn структур у, який відрізняється тим, що містить чотири чотирьохшарові p-n-p-n структури, при цьому аноди та примикаючи до них бази суміщені та є спільними до всіх фототиристорів, а колектори і катоди усередині них розташовані навкруги анода на рівній відстані від нього. (19) (21) u200604230 (22) 17.04.2006 (24) 15.01.2007 (46) 15.01.2007, Бюл. № 1, 2007 р. (72) Вікулін Іван Михайлович, Курмашев Шаміль Джамашевич, Мінгальов Володимир Олександрович, Никифоров Станислав Миколайович (73) ОДЕСЬКА НАЦІОН АЛЬНА АКАДЕМІЯ ЗВ`ЯЗКУ ІМ. О.С.ПОПОВА 3 19922 4 по звичайній технології виготовлення планарних Фототиристори можуть виготовлятися будь-яким підприємством, яке виготовляє напівпровідникові фототиристорів. Розмір аноду 50´50мкм 2, відстань між анодом і катодами 100мкм. Викладені вище пристрої. позитивні якості пристрою повністю підтвердилися. Комп’ютерна в ерстка Л.Литв иненко Підписне Тираж 26 прим. Міністерство осв іт и і науки України Держав ний департамент інтелектуальної в ласності, вул. Урицького, 45, м. Київ , МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислов ої в ласності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601
ДивитисяДодаткова інформація
Назва патенту англійськоюPhotodetector
Автори англійськоюVikulin Ivan Mykhailovych, Kurmashev Shamil Dzhamashevych
Назва патенту російськоюФотоприемник
Автори російськоюВикулин Иван Михайлович, Курмашев Шамиль Джамашевич
МПК / Мітки
МПК: H01L 31/10
Мітки: фотоприймач
Код посилання
<a href="https://ua.patents.su/2-19922-fotoprijjmach.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентів України">Фотоприймач</a>
Напівпровідниковий термостатований фотоприймач
Номер патенту: 3324
Опубліковано: 15.11.2004
Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович
МПК: H01L 35/00, H01L 31/00
Мітки: термостатований, фотоприймач, напівпровідниковий
Формула / Реферат:
Напівпровідниковий термостатований фотоприймач, який містить фотоприймач, приєднаний до теплопоглинаючої сторони термоелектричного модуля, тепловиділяюча сторона якого з'єднана з тепловідводом, який відрізняється тим, що на зворотному боці напівпровідникового фотоприймача додатково розташований шар діелектрика з електрокомутаційними доріжками, до яких приєднані гілки термоелектричного модуля.
Фотоприймач
Номер патенту: 69919
Опубліковано: 15.09.2004
Автори: Курмашов Шаміль Джемашевич, Мінгальов Володимир Олександрович, Вікулін Іван Михайлович, Сидорець Ростислав Григорович
МПК: H01L 31/06
Мітки: фотоприймач
Формула / Реферат:
Фотоприймач, що виконаний у вигляді напівпровідникової пластини довжиною порядку довжини дифузійного зміщення неосновних носіїв заряду з р-n переходом на одному кінці та омічним контактом на другому, який відрізняється тим, що на більш широкій стороні пластини розміщений металевий електрод, відділений від пластини діелектриком, причому товщина вузької сторони пластини повинна бути рівна товщині області об'ємного заряду напроти електрода.
Фотоприймач ультрафіолетового діапазону
Номер патенту: 6117
Опубліковано: 15.04.2005
Автори: Шмирєва Олександра Миколаївна, Мельниченко Микола Миколайович, Смертенко Петро Семенович, Наумов Вадим Володимирович
МПК: H01L 51/42
Мітки: діапазону, ультрафіолетового, фотоприймач
Формула / Реферат:
1. Фотоприймач УФ діапазону, що містить напівпровідникову пластинку з потенційними бар'єрами, на робочу поверхню якої нанесені поверхневий шар і просвітлююче покриття, на якому сформована омічна контактна мережа, а на тильну поверхню пластинки нанесено омічний контакт, який відрізняється тим, що поверхневий шар виконаний із матеріалу, що перевипромінює ультрафіолетове випромінювання в видиме.2. Фотоприймач за п. 1, який...
Фотоприймач ультрафіолетового випромірювання та спосіб його виготовлення
Номер патенту: 31008
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Семікіна Тетяна Вікторівна, Шмирєва Олександра Миколаївна
МПК: H01L 31/101
Мітки: ультрафіолетового, спосіб, виготовлення, фотоприймач, випромірювання
Текст:
...якості технології та, як наслідок, її складності та вартості виробу. | В основу винаходу покладено задачу створити такий фотоприймач ультрафіолетового випромінювання, в якому новий матеріал діелектричного шару дозволив підвищити чутливість до ультрафіолету у порівнянні з прототипом. ) і Поставлена задача вир ішується тим, що в фотоприймачі ультрафіолетового випромінювання, який вміщує напівпровідникову платі вк на тильній...
Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу
Номер патенту: 14375
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Маслов Володимир Петрович, Коломзаров Юрій Вікторович
МПК: H02N 6/00, H01L 25/00, H01L 21/00, H01L 29/40, H01R 9/24, H01L 27/15
Мітки: напівпровідникового, фотоприймач, матеріалу, нанесення, металічних, контактів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб нанесення металічних контактів на фотоприймач з напівпровідникового матеріалу, що включає нанесення на поверхню фотоприймача двох металічних шарів, один з яких виконаний з нікелю, який відрізняється тим, що обидва шари металів наносять методом вакуумного випаровування при температурі підкладки 130-170 °С, причому перший шар виконують з адгезійно активного металу – титану, товщиною 30-70 нм, а другий шар виконують з нікелю,...
Попередній патент: Спосіб стимуляціїї репаративної регенерації кісткової тканини
Наступний патент: Спосіб виготовлення біологічного імуностимулюючого препарату для птиці “цитосол-аві” (“cythosol-avi”)
Випадковий патент: Спосіб прогнозування зрощення перелому