Насиров Махсуд Уалієвич
Спосіб виготовлення бар’єрних контактів до напівпровідникових з’єднань типу а3в5
Номер патенту: 103551
Опубліковано: 25.12.2015
Автори: Насиров Махсуд Уалієвич, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Бєляєв Олександр Євгенович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Болтовець Микола Силович
МПК: H01L 29/47
Мітки: а3в5, бар'єрних, спосіб, типу, контактів, виготовлення, напівпровідникових, з'єднань
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...